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竞争格局
｜中国主要SiC衬底项目布局情况统计
据CASAResearch整理，年有6家国际巨头宣布了12项扩产，主要为衬底产能的扩张，其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划，分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。
｜中国主要第四代半导体项目布局情况统计
｜SiC竞争格局：国内外差距逐步缩小，国产替代可期
SiC衬底供应商竞争格局：海外龙头垄断、实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进军。
导电型SiC衬底（主要应用于新能源车、光伏等领域）1)全球市场：美国科锐公司（Wolfspeed）占据了60%以上的市场份额，基本控制了国际碳化硅单晶的市场价格和质量标准。其他公司包括：美国二六（II-VI）、德国SiCrystalAG、道康宁（DowCorning）、日本新日铁等。主流产品已经完成从4寸向6寸的转化。2)国内公司：总体处于发展初期，主要以4英寸小尺寸产能为主。年，天科合达以1.7%的市场占有率排名全球第六、国内第一。其他公司包括山东天岳、河北同光、世纪金光、中电集团2所等。
半绝缘型SiC衬底（主要应用于5G射频等领域）全球市场美国科锐（WOLFSPEED）、贰陆公司（II-VI）依旧合计占据近70%的市场份额。国内公司山东天岳已挤进全球前三，年市占率达30%。
｜SiC竞争格局：国内外差距逐步缩小，国产替代可期
在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中，可观察到国内企业已迎头赶上，国内外差距正在缩小。
国内厂商规划投资规模较大，而投资落地情况不足预期，有效产能不足。据中国电子材料行业协会半导体材料分会（CEM）统计，截至年中，全国碳化硅衬底规划投资超亿元，预计规划年产能达万片，而年全国碳化硅产能则仅为约11万片。根据CASA对国内的各类碳化硅投资项目情况的跟踪调查，每年所宣称的投资额均超过亿元，但目前投资到位、建设并投产的项目仍然较少。其主要原因归纳如下：
1）部分项目建设周期长、进度慢；
2）项目资金需求量大、协调要求高，最终并未实质落地；
3）部分项目的规划脱离实际，导致后续执行难以落实。
｜SiC竞争格局：“产学研用”为国内碳化硅衬底发展的重要推进动力
国内高校和科研单位对SiC单晶的研究始发于0年前后，主要包括中科院物理所、山东大学、上海硅酸盐所、中电集团46所、西安理工大学、西安电子科技大学等。孕育出天科合达、天岳先进等国内碳化硅衬底领先企业。
｜相关公司估值水平
目前国内碳化硅企业可分为三类：
一类是天岳先进、天科合达等创业型碳化硅企业；
一类是传统硅基材料公司入局碳化硅业务；
还有一类是其他公司跨界进入碳化硅领域，下表统计前两类公司估值水平：
｜天岳先进：半绝缘SiC衬底龙头
天岳先进成立于年，目前是全球半绝缘型SiC衬底龙头（年半绝缘型SiC衬底全球市占率30%），产品主要为4英寸半绝缘型SiC衬底。相比半绝缘型衬底，导电型SiC衬底在新能源汽车、光伏等领域未来需求空间更大，国产化率也更低，因此公司IPO募资20亿元建设6英寸导电型碳化硅衬底项目，发力导电型SiC衬底。该项目将于年试生产，预计年实现全面达产（对应6寸导电型SiC衬底30万片/年）。
至年，公司分别实现营业收入1.36亿元、2.69亿元、4.25亿元，分别同比增长97.79%、57.99%；分别实现扣非归母净利润-万元、万元、万元。
1月12日，天岳先进正式在科创板敲钟上市，发行价格为82.79元/股。因为华为在年的强势站台，让该公司在创下一年内估值上涨10倍的记录。孰料股价在上市次日即跌破发行价。截至1月13日收盘，天岳先进每股报81.99元，跌幅4.11%。部分市场人士认为，天岳先进尚未实现盈利是该公司股价表现不佳的重要原因，亦有产业链消息人士指出，目前该公司在实际产能和技术上都仍存在着较大不足。
缺乏市场交叉验证。-年，公司前五大客户合计贡献的收入均超过80%，年上半年，更是达到了惊人的91.68%，有越发集中的趋势。尤其是前两大客户，合计贡献60%左右的收入，其中B公司为公司关联方华为。
不合格业务占比大。不合格产品可作为宝石晶棒用于加工制成珠宝首饰进入消费品市场，有两个珠宝客户稳居公司前五大客户阵营。公司其他业务占比达到22%，且其他业务毛利（40%）甚至比主业（＜30%）还高。
｜天科合达：国内导电型SiC衬底龙头
公司于6年9月由新疆天富集团、中国科学院物理研究所共同设立，是国内导电型碳化硅衬底龙头企业之一，在全球导电型碳化硅市场份额排名第四。业务涵盖碳化硅单晶炉、碳化硅单晶生长原料和碳化硅单晶衬底。
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