我们经常看到,一些知名品牌的太阳能电池板组件特性有很多,其中有意向是抗PID保证,也就是通过电池生产技术优化及材料管控将PID现象造成的衰减几率降到最小。

(晶科高效单晶硅双面半片太阳能组件)

那么什么是太阳能电池PID现象呢?

它是英文PotentiallnducedDegradation的简称,即电池板电势诱导衰减现象,指电池板组件在长期负偏高压作用下,使得玻璃、封装材料之间存在漏电流,大量电荷聚集在电池片表面,造成硅片的半导体分层及性能衰减,以及严重的电离腐蚀,使组件的性能低于设计标准,最终使电池组件寿命降低。

简单的说,PID现象是指太阳能电池与边框长期被施以高电压,电池发电量显著降低的现象。出现这种现象主要有以下集中催化要素:

(1)组件对外壳(大地)的负偏压:没有对外壳之间的负压,就没有电子从硅片迁移到外壳的可能,也就不会有电离腐蚀。

(2)高湿:干燥条件下硅片到外壳之间电阻接近无穷大,但潮湿条件下电

阻降低,在有负压的作用下就会产生漏电流,就有可能造成电离腐蚀。

(3)高温:高温本身就是很多电化学反应的催化剂,会加剧反应的速度。

基于(1)、(2)、(3)项,可知在东南沿海,海南、云南部分山区,PID现象会相对更加严重。

(4)更薄的硅片:会更快的被腐蚀掉

(5)组件更轻薄的封装材料及玻璃:会造成绝缘电阻的降低和漏电流的增大

基于(4)、(5)项,可知薄膜组件PID现象会非常严重,此外近两年晶硅组件厂商受价格压力,也普遍采用了更薄的切片工艺,更廉价的封装材料和玻璃,所以近年来新生产的组件的PID效应反而更严重,这也意味着,几年前建的电站没有发现明显的PID效应,不代表新建的电站就不会没有。

年美国SunPower公司首次发现并提出PID效应,指组件长期在高电压工作,在盖板玻璃、封装材料、边框之间存在漏电流,大量电荷聚集在电池片表面,使得电池片表面的钝化效果恶化,导致填充因子、短路电流、开路电压降低,使组件性能低于设计标准。

如果太阳能组件厂商掌握了PID现象抑制技术,通过电池生产技术优化及材料管控将PID现象造成的衰减几率降到最小,保证了组件的正常使用寿命。

很多人贪图便宜或者压根就不了解PID现象,选择了不具备PID现象抑制的组件,就会使组件衰减厉害,组件寿命根本无法达到预期寿命,甚至连电站投资成本也无法收回。

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