（报告出品方/作者：华创证券，张文龙、冯昱祺）
一、湿电子化学品：以纯度立足的半导体产业核心产品
（一）湿电子化学品简介
湿电子化学品，又称超净高纯试剂或工艺化学品，是指主体成分纯度大于99.99%，杂质离子和微粒数符合严格要求的化学试剂，是重要的晶圆制造材料之一，年市场规模占比4%。主要以上游硫酸、盐酸、氢氟酸、氨水、氢氧化钠、氢氧化钾、丙酮、乙醇、异丙醇等为原料，经过预处理、过滤、提纯等工艺生产得到的高纯度产品。下游应用主要为光伏太阳能电池、平板显示和半导体三大领域，主要应用在集成电路制造的清晰、蚀刻、掺杂、显影、晶圆表面处理、去膜、去光刻胶等工序中。
按照用途主要可以将湿电子化学品分为通用化学品和功能性化学品两类。其中通用化学品以高纯溶剂为主，例如过氧化氢、氢氟酸、硫酸、磷酸、盐酸、硝酸等；功能性化学品指通过复配手段达到特殊功能、满足制造中特殊工艺需求的配方类或复配类化学品，主要包括显影液、剥离液、清洗液、蚀刻液等。
常用的湿电子化学品以通用化学品为主，占比达到88%，其中过氧化氢、氢氟酸和硫酸需求占比排名前三，占比分别达到16.7%、16%和15.3%；功能性化学品中主要为显影液和MEA等极性溶液，占比达到了4.3%和3.2%。
由于电子产品的制作过程中有极高的规格要求，细微的污染或是不纯净都会导致精细的半导体材料的成品率、电性能和可靠性受到严重的影响。随着集成电路的不断发展，超净高纯试剂必须与之同步发展，一代的微细加工技术需要一代的超净高纯试剂与之配套，不断的更新换代，才能适应集成电路生产化的需要。
随着对集成电路线宽的要求越来越密集，其对湿电子化学品的要求越来越高，例如有害例子含量已经从10-6（ppm）向10-9（ppb）、10-12（ppt）发展。国际半导体设备和材料组织（SEMI）在年制定了国际统一的超净高纯试剂标准。
20世纪60年代以后，电子工业、核工业、航天工业等高新技术领域快速发展，产品对电子材料的要求越来越高，我国湿电子化学品的发展可以分为3个阶段：20c70s中期-年初期发展阶段，-年的规模化发展阶段，以及年后的大规模快速发展阶段。
湿电子化学品处在一般工业原料和特殊应用化工材料之间，作为常规生产线之外的必需辅助材料，俗称“工业味精”，应用在平板显示、半导体以及光伏太阳能的加工过程中。在对于湿电子化学品进行制备时主要有三大方面需要严苛的技术或工艺。
（二）核心壁垒：超净、高纯和功能性复配技术
纯化技术是行业立足根本，混配工艺成就企业发展的瓶颈。对应于湿电子化学品中通用化学品和功能性化学品的分类，湿电子化学品的制备有相应的纯化工艺以及混配工艺。纯化工艺是使得化学产品达到有关产品标准的核心保证，而混配工艺则是为满足客户特定需求而在纯化产品上继续加工。
纯化工艺的核心是提纯技术和对于质量进行控制的分析检测技术，混配工艺的核心在于混配的配方。纯化和混配主要涉及的工艺基本为精密控制下的物理反应过程，较少涉及化学反应过程。
（1）提纯工艺：超高纯试剂制备的关键在于控制并达到其所要求的杂质含量和颗粒度。目前，国际上普遍使用的超净高纯试剂提纯工艺有十余种，用于不同成分、不同要求的超净高纯试剂的生产。主要的方法有蒸馏和精密分馏、离子交换、分子筛分离、气体吸收和超净过滤。
（2）分析检测技术：超净高纯化学试剂质量控制的关键技术，根据不同的检测需要，可分为颗粒分析测试技术、金属杂质分析测试技术、非金属分析测试技术。
①IC制作技术的不断发展对超净高纯试剂中的颗粒要求越来越严，所需控制的粒径也从5μm到1、0.5、0.2、0.1μm，颗粒的测试技术从早期的显微镜法、库尔特法、光阻挡法发展到激光光散射法。
②对于金属以及非金属杂质含量的要求也从原来的10-6级发展到超大规模集成电路的10-9，再到极大规模集成电路的10-12。随着IC技术向亚微米及深亚微米方向的发展，ICP-MS法已成为金属杂质分析测试的主要手段。
③非金属杂质的分析测试最常使用的是离子色谱法，根据被测的离子半径和所带电荷不同，在分离柱上得到分离，然后经过抑制柱去除洗脱液的导电性，采用电导检测器测定Cl、NO3、SO42、PO43等离子。
（3）混配工艺：满足下游客户对湿电子化学品功能性要求的关键工艺技术。混配工艺的关键在于配方，配方的获取需要企业有丰富的行业经验，通过不断的调配、试验、试制及测试才能完成。具体的制作主要是将公司纯化成品经过检测后，再进行过滤、精密混配等重要工艺完成。
（三）市场规模和格局：国内市场规模突破亿元，增速远高于全球
湿电子化学品作为“工业味精”处在上下产业链的中间加工过程，并非为某一种物质的直接原材料，而是作为一种损耗品参与到产业链的生产之中。湿电子化学品的上游原料是上游硫酸、盐酸、氢氟酸、氨水、氢氧化钠、有机物等基本工业原料。经过多年的发展，我国化学工业体系已经较为完善、成熟。另一方面，湿电子化学品制造由于需要较高的技术与工艺水平，具有较高的附加值。
年全球湿电子化学品市场规模为50.8亿美元，近5年CAGR为4.3%，年，全球下游需求量合计万吨，其中半导体需求量达到万吨（占比41%），显示面板需求量达到万吨（占比35%），光伏产业需求量达到77万吨（占比24%）。
行业集中度较高，从供应角度看，全球供应地区仍以产业早期转移源头地区为主，包括欧美地区、日本、韩国和中国，年市场份额合计达到98%。主要企业包括德国巴斯夫、美国亚什兰化学、Arch化学，日本关东化学、三菱化学、京都化工、住友化学、和光纯药工业，中国台湾鑫林科技，韩国东友精细化工等，根据新材料在线数据，以上公司全球市场份额达到80%以上。
年，中国湿电子化学品市场规模突破亿元，受益于全球半导体和面板显示制造环节产业链转移，中国市场增速远高于全球增速，-年CAGR为16.7%。与全球情况不同，中国下游以显示面板需求量达到45.7万吨（占比37%），半导体需求量41.5万吨（占比41%），太阳能电池需求量24.1万吨（占比22%）。
中国大陆市场集中度较低，湿电子化学品生产企业共有40余家，具有规模化的企业有30余家，各公司产量较小，按照销售规模计算，湿电子化学品龙头公司江化微和格林达，年市占率仅为4.8%和5.1%。大陆企业大致分为三类，第一类是以江化微、格林达和江阴润玛为代表的湿电子化学品专业供应商，主营业务以湿电子化学品为主，产品种类丰富且毛利率较高；第二类是以晶瑞电材和飞凯材料为代表的电子材料平台型企业，以泛半导体业务为主，具有客户导入优势；第三类是以巨化股份和滨化股份为代表的大化工企业，湿电子化学品品种较少，营收占比较小，与其他业务有产业链协同效应，在原料方面具有相对优势。
行业具有天然的区域性约束，围绕下游产业布局。湿电子化学品对于产品纯度、洁净度有很高的要求，长途运输不利于品质保证，且易产生较昂贵的运输成本，因此湿电子化学品企业往往围绕下游制造业布局。我国湿电子化学品市场增长主要是依靠下游光伏产业推动，太阳能发电装机多集中于东部沿海和西北部地区；半导体晶圆厂多集中于东部沿海和华中地区；平板显示企业多集中于东部沿海和西南地区；湿电子化学品企业以长三角居多，并分布于华南、华中地区，并逐渐向西部拓展，如江化微在四川新建基地，覆盖西部厂商，以降低运输费用。
在国家政策方面，新世纪以来颁布了一系列支撑性政策，国家集成电路产业投资基金的成立也在直接投资上体现发展导向。年的《国家中长期科学和技术发展规划纲要（-年）》提出重点研究开发高纯材料，后年《产业结构调整目录（年）》（年修正）明确将超净高纯试剂等列为鼓励类发展领域。同时《原材料工业质量提升三年行动方案（-年）》等一系列政策推动着湿电子化学品行业以及下游平板显示、半导体等等对应行业不断发展。
随着半导体的第三次产业转移，现有的市场天平将进一步向我国大陆倾斜，驱动配套材料需求量增长。从上世纪70年代半导体产业在美国形成规模以来，半导体产业总共经历了三次产业迁移。第一次产业迁移是20世纪80年代时由美国本土向日本迁移，由此催生了东芝、松下等行业知名品牌。第二次是在20世纪90年代末到21世纪初，由美国、日本向韩国和中国台湾迁移，由此催生了三星、台积电等世界知名龙头企业。第三次则是由韩国和中国台湾向中国大陆地区迁移。
全球产业链转移、政策驱动及下游市场高景气度驱动湿电子化学品市场增长，区域约束+相对较低的技术壁垒驱动湿电子化学品成为半导体材料中国产化进程较快的材料。细分领域看，产业发展相对较成熟、纯度等级要求较低的太阳能电池国产化率较高，接近%自给；平板显示领域，G6以上高世代线国产化率很低，仅为10%，G6以下世代线国产化率已达到50%以上；半导体用湿电子化学品，纯度要求最高，6寸以下内资企业市占率达到80%，8寸及以上仅为10%。国内企业在高纯度湿电子化学品方面亟需突破。
（四）下游应用：高端市场份额提升，驱动湿电子化学品国产替代进程加快
湿电子化学品主要应用于光伏太阳能电池、平板显示和半导体。三者所需的技术水平不断提高，技术要求最高的半导体毛利率最高。
1、太阳能电池
太阳能电池主要是一个大面积的半导体光电二极管，是一种由于光生伏特效应而将太阳光能直接转化为电能的电子元器件，能利用光电材料吸收光能后发生光电效应，将光能转换为电能，因此太阳能发电又称为光伏发电。光伏太阳能电池包括单晶硅、多晶硅、薄膜太阳能电池三种。
晶体硅太阳能电池：硅系列太阳能电池中，单晶硅太阳能电池转换效率最高，技术也最为成熟，一般都采用表面织构化、发射区钝化、分区掺杂等技术，开发的电池主要有平面单晶硅电池和刻槽埋栅电极单晶硅电池。单晶硅太阳能电池在大规模应用和工业生产中占据主导地位。
多晶硅薄膜太阳电池是将多晶硅薄膜生长在低成本的衬底材料上，用相对薄的晶体硅层作为太阳能电池的激活层，不仅保持了晶体硅太阳能电池的高性能和稳定性，而且材料的用量大幅度下降，明显地降低了电池成本。
晶体硅太阳能电池制造的常规工艺主要包括:硅片清洗、绒面制备、扩散制结、等离子周边刻蚀、去磷硅玻璃、PECVD减反射膜制备、电极印刷及烘干、烧结、Laser和分选测试等。
薄膜太阳能电池：薄膜太阳能电池指用单质元素薄膜、无机化合物薄膜或者有机材料薄膜等制作的太阳能电池。通常其厚度约为1-2μm。这些薄膜通常用化学气相沉积、真空蒸镀、辉光放电、溅射等方法制得。薄膜太阳能电池具有轻质、耐用、简单等优点。根据所用半导体的类型，薄膜太阳能电池主要有以下三类：非晶硅、碲化镉和铜铟镓硒。
非晶硅薄膜电池的生产过程由清洗透明导电玻璃(TCO)、第一次激光刻划、等离子增强化学气相沉积(PECVD)、第二次激光刻划、磁控溅射镀膜、封装测试、热老化等步骤组成。
一般来说太阳能电池制作包括清洗、表面腐蚀、制绒、蚀刻、去磷硅玻璃清洗六大工艺。
运用在太阳能电池中的湿电子化学品具有种类相对较少，但用量大的特点。湿电子化学品主要运用于太阳能电池片制造中的清洗、腐蚀、制绒等工序中。硫酸、王水、酸性和碱性过氧化氢溶液等是光伏太阳能制造中的“清洗剂”。硅片的洁净度和表面状态对光电转换效率的影响很大，是生产中的重点工序，通过这些化学清洗剂可以达到去污的目的。
一般来说，光伏太阳能电池领域只需要SEMI标准的G1级水平，是我国国产湿电子化学品的主要市场。我国是全球最大的太阳能电池板生产国，光伏太阳能电池国产化率达到98%。
在“碳中和”背景下，新能源发电对传统能源发电的替代速度加快，光伏太阳能的增量市场推动湿电子化学品需求增长。中国光伏行业预测，年全球光伏将新增装机-GW，年新增装机-GW；年我国将新增55-65GW，年预计将新增90-GW，未来5年存在翻倍增长空间。年中国光伏发电渗透率不到3%，根据国家能源局公布的《关于年风电、光伏发电开发建设有关事项的通知（征求意见稿）》，年全国风电、光伏发电用量占全社会用电量比重将达到11%，年达到16.5%左右，光伏发电将凭借政策驱动及装机成本降低迎来市场高速增长。太阳能光伏装机量的提升带动太阳能电池产量的增加，年太阳能电池产量达到万千瓦，近5年CAGR为21.8%
2、平板显示
平板显示行业主要指的是对于平板显示器进行制造，应用于下游移动通讯、数码设备、电脑以及电视等等。在平板显示的发展阶段中，主要技术包括液晶显示（LCD）、等离子显示（PDP）、有机发光二极管显示（OLED）、场发射显示器（FED）。现在迅猛发展的TFT液晶显示器（TFT-LCD）具有成本低、高解析度、高亮度、宽视角、能耗低等特点，已经成为了产业中的主导产品。TFT-LCD面板的制作主要包括阵列制造工艺（Array）、彩膜（CF）制造工艺、液晶盒（Cell）制造工艺以及模组（Module）制造工艺。
阵列制造工艺和彩膜制造工艺是对于品质要求最为严苛的地方，也是湿电子化学品核心应用场景。
（1）阵列工艺，一般有导电层沉积、清洗、光刻胶覆盖、光刻曝光、显影、烘干、蚀刻、光刻胶剥离等步骤。完成后一般重复5次从而在最后形成复杂的电极。在制作流程中，主要在清洗、显影、蚀刻和光刻胶剥离的过程中需要使用湿电子化学品。
①清洗包括两个层面，一者是洗去玻璃基板制成过程中的尘粒，一般使用中性清洗剂（包含去离子水、界面活性剂和添加剂）或是去离子水。另一者是使用碱性清洗液来去除油污。另外一个较为细致的点是光刻胶容易在涂胶喷嘴上残留，固化后会影响涂布效果，一般使用丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA）和丙二醇甲醚（PGME）的混合液来快速溶解光刻胶。②显影工艺中一般常用四甲基氢氧化铵（TMAH）的水溶液作为显影液。③蚀刻工艺中一般是各种酸，按照制程不同选取草酸系（草酸、添加剂、界面活性剂）、盐酸系（HCl，FeCl3）、和混酸（H2SO4和HNO3）等。④剥离工艺中一般采用二甲基亚岚（DMSO）和单乙醇胺（MEA）7:3质量比的混合液，使得光刻胶起泡膨胀并将接触面浸润，剥离并溶解光刻胶。未来出于环保考虑，也会使用二乙二醇单丁醚（BDG）来替代DMSO。
（2）彩膜工艺与阵列工艺中湿电子化学品的使用类似，也包括多次的曝光和显影等等操作。一般彩膜工艺中运用的显影液分为氢氧化钾（KOH）为代表的强碱系和碳酸氢盐为代表的弱碱系。
面板显示主要分为LCD和OLED，LCD中剥离液、AL刻蚀液、Cu显影液用量最多，合计占比超过50%，OLED中，剥离液和显影液用量合计占比70%，国内布局企业有：①江化微剥离液、蚀刻液和稀释剂纯度达G3-G4，3.5万吨产能在建中；②江阴润玛蚀刻液，产能未公布。
下游市场规模，年全球面板显示行业市场规模为0亿美元，-年CAGR为-1.2%，中国大陆市场规模约为亿元，占比26%，-年CAGR为2%。面板显示行业市场增长有五大驱动力，“全球产业链转移、消费升级、技术迭代、应用场景拓宽、国家政策支持”，显示面板市场规模将进一步提升，预计年中国大陆LCD、OLED市场份额将提升至69%、47%。
OLED产能提升使得湿电子化学品用量增加，预计年显示面板用湿电子化学品需求量翻1.3倍。AMOLED是OLED主要品类，年中国大陆LCD、AMOLED产能分别为.8、3.2百万平方米，DSCC预计年将提升至.8、31.1百万平方米。根据产业信息网数据，单位面积OLED面板制造所需的湿电子化学品用量是LCD面板的7倍，预计年面板显示用湿电子化学品将翻1.3倍，达万吨。
平板显示行业用湿电子化学品，在G6以上高世代线的国产化替代市场非常广阔。面板用湿电子化学品纯度需要达到G2-G3，G6以下世代线国产化率已达到50%以上，G6以上高世代线国产化率很低，仅为10%，根据Omdia数据，中国大陆在年首次超过其他国家，成为G6以上高世代线产能最大的地区，年在全球比例已经达到53%，预计年占据68%份额，突破高世代线PDF用湿电子化学品成为国产化替代关键。
3、半导体
半导体产业分为集成电路和分立元器件两大分支。从工艺流程的角度来看主要分为芯片设计、前段晶圆制作和后段封装测试。其中前段晶圆制作是半导体制作的核心工艺。与平板显示制造的流程类似，整个晶圆的制造过程中需要反复通过十几次清洗、光刻、蚀刻等工艺流程，而这些步骤都需要湿电子化学品的参与。
湿电子化学品主要用于清洗颗粒、有机残留物、金属离子、自然氧化物等污染物，以及前道工艺中显影、光刻胶剥离，后道工艺中清洗、溅射、黄光、蚀刻等环节。
半导体对湿电子化学品纯度要求最高。随着集成电路的存储容量不断增大，电池容量的要求也越来越高，电池上的氧化膜会变得更薄，湿电子化学品中的碱金属杂质（Na、Ca等）会溶解进氧化膜中，导致绝缘电压下降。若杂质附着在硅晶片的表面，会使得P-N结耐电压降低。此外，杂质也是电路腐蚀或漏电的重要因素。
晶圆加工中，硫酸和双氧水用量最多，两者合计占比超过50%，国内布局两种湿电子化学品且纯度达到IC级别的企业有：①晶瑞电材超净高纯双氧水，以及在建的3万吨超净高纯硫酸；②兴发集团的电子级硫酸，现有2万吨，在建4万吨；③江化微硫酸在建中，与在建的氨水和盐酸产能合计5.8万吨，投产后纯度可达G4-G5。
随着半导体产业向国内转移，地域性规律将克服技术差距倒逼国内发展脚步，国内厂商发展趋势动能十足。全球第三次半导体产业链向中国大陆转移，主要涉及制造环节，大陆晶圆产能处于高速扩张期，根据SEMI数据，中国大陆晶圆厂产能市场份额从年1.7%提升至年22.8%，成为第一大晶圆生产国。-年全球陆续投产62座晶圆厂，中国大陆占40%（26座），部分处于产能爬坡中；-年，中国大陆预计将有另8座晶圆厂开工建设，占全球比例近1/3，晶圆厂产能扩张和集中建设将刺激半导体配套材料需求爆发。
大英寸晶圆产能提升使得半导体用湿电子化学品用量增加，纯度要求更高，预计年湿电子化学品需求量翻1.5倍。未来几年晶圆厂扩产计划以8寸和12寸为主，尤以12寸居多。根据中芯国际公司公告，年12英寸、8英寸晶圆月产能将分别达到万片/月、万片/月，合计占比达61%。根据产业信息网数据，12英寸晶圆所消耗的湿电子化学品，是8英寸晶圆的4.6倍，6英寸晶圆的7.9倍，预计年半导体用湿电子化学品需求量将翻1.5倍，达到万吨。而8英寸以上晶圆所用湿电子化学品的国产化率仅为10%，国产产品尚集中于低端市场，能够突破高纯度技术的企业将在未来获得更多市场份额。
根据SEMI标准，IC线宽范围越小，纯度要求越高，nm-90nm要求G4纯度湿电子化学品，90nm以下的芯片要求使用G5纯度。国内达到G5纯度级别的企业包括：①晶瑞电材超净高纯双氧水和超净高纯氨水，以及在建的3万吨超净高纯硫酸；②多氟多电子级氢氟酸，1万吨；③滨化股份电子级氢氟酸，0.6万吨；④兴发集团的电子级硫酸，现有2万吨，在建4万吨。⑤兴发集团联营企业兴力电子的电子级氢氟酸，现有1.5万吨，在建1.5万吨；⑥上海新阳，芯片铜互连电镀液可用于90-14nm、干法蚀刻后清洗液可用于28nm以上制程，现有产能0.56万吨，在建1.5万吨；⑦中巨芯，1x纳米制程所需电子级氢氟酸，产能未公布；⑧江化微硫酸、氨水、盐酸在建中，产能5.8万吨，投产后纯度可达G4-G5。
在全球8英寸和12英寸晶圆中，90nm以下制程年占比达53%，预计年份额将提升至61%，90nm以下制程成为全球晶圆厂生产趋势。反观中国大陆，在统计的14座晶圆厂中，现有产线中，nm以上产能约为65.6万片/月，nm以下约为85.4万片/月，90nm以下约为67.8万片/月；在建产线，均以90nm以内为主，更小制程成为扩产趋势。掌握G4-G5纯度工艺的企业将更有机会在国产替代进程中，更快导入国内下游晶圆厂商，获得更多订单。
二、化工板块湿电子化学品企业梳理
在国产替代进程加快及技术突破驱动下，湿电子化学品行业进入者逐渐增多，我们认为对于湿电子化学品行业而言，具有高创新能力、产品品类丰富、产品纯度高的企业将获得更多市场份额及更高附加值，本报告将从产品布局、研发能力、资金情况和客户体系4个方面分析各公司情况。
（一）江化微：湿电子化学品专业提供商，产品种类丰富
1、产品布局
江化微是国内一家湿电子化学品专业服务提供商，产品品种多达50余种，现有产能9万吨，在建产能12.3万吨，现有品种纯度已经达到G3水平，主要应用于光伏、面板和半导体领域。公司镇江一期在建项目包括剥离液、蚀刻液、稀释剂，纯度已经达到G3-G4，
江化微光刻胶配套试剂毛利率高于超净高纯试剂，且营收占比从年27.5%提升至年43%。受原料涨价和行业价格战影响，超净高纯试剂和光刻胶配套试剂毛利率均呈现下滑趋势。
江化微有3个生产基地，江苏江阴为本部，位于华东地区，主要覆盖半导体、平板显示、光伏等高、中、低等级系列产品。在建的是江苏镇江和四川眉山基地，江苏镇江位于华东地区，主要覆盖半导体行业，四川眉山主要是开拓西南地区平板显示行业，预计两处基地将于年建成投产，投产后公司运输费用将进一步降低，年起江化微将执行《企业会计准则第14号——收入》，将与商品销售相关的运输费用计入营业成本。因为湿电子化学品具有高纯度、高洁净度要求，因此运输工具要求和运输成本较高，随着公司产品体量扩大，-年运输费用大幅提升，年相较于年，运输费用占营收比例提升2%，新基地的建设将有效降低运输费用的影响，并扩大客户覆盖面。
2、研发能力
江化微研发能力较好，研发支出相对较高，年占营收比例达到5.4%，近5年保持16%增速增长，研发人员数量为48人，占比达到13%。专利方面，截至年，江化微共有83项专利，包括32项发明专利、50项实用新型专利和1项外观设计专利。江化微与南京大学进行产研合作，接触领域最新前沿理论。董事长殷福华先生拥有20余年的湿电子化学品研究、生产、管理经验，带领公司先后研发出高效酸性剥离液、铝钼蚀刻液、低温型水系正胶剥离液、低张力ITO蚀刻液、高分辨率显影液、二氧化硅蚀刻液、钛-铝-钛金属层叠膜用蚀刻液等十三类产品，被江苏省科学技术厅评定为高新技术产品。
3、资金情况
江化微从年开始募资进行产能扩张，资本性支出大幅飙升，增速达到.5%高点，资本支出与折旧摊销比值抬升至接近10，扩张风格偏向激进，由此带来销售规模的扩张，年营收为5.6亿元，近3年营收CAGR达17%。
4、客户体系
江化微湿电子化学品下游在平板显示、半导体及LED、光伏太阳能三大领域均有涉及，客户体系较为成熟，覆盖各领域头部厂商。
（二）晶瑞电材：产品研发国内领先，三大王牌产品纯度已达G5
1、产品布局
晶瑞电材主营产品包括超净高纯试剂、光刻胶、锂电池材料、基础化工材料和能源等，其中年超净高纯试剂营收占比为20%，呈现下滑趋势，毛利率同样逐年下降，主要是因行业愈趋激烈，公司加大纯度较高电子试剂的研发和投产，以改善毛利率情况。
年，晶瑞电材超净高纯试剂产能共有3.87万吨，产能利用率达到.55%。其中用于半导体前道工艺的超净高纯双氧水、超净高纯硫酸、超净高纯氨水纯度可达G5，金属杂质含量低于10ppt,打破国外垄断，其中高纯双氧水既是用量最大的品类，用量占比达到16.7%，也是提纯难度最大品类之一，9万吨超大规模集成电路用半导体级硫酸项目（一期）预计于年投产。其他产品如BOE、硝酸、盐酸、氢氟酸等产品达到G3、G4级别，可用于平板显示、LED、光伏太阳能等行业。
2、研发能力
截至年8月，晶瑞电材拥有研发人员96名，研发人员占比保持在15-20%之间，年研发支出占比为3.31%。公司在年和年分别进行两次股权激励，年激励包括核心技术骨干在内的48名人员99.7万股，占比1.13%，年激励包括核心技术骨干在内的28名人员万股，占比1.71%，将技术人员和公司利益深度绑定，彰显公司对未来的发展信心。
3、资金情况
年晶瑞电材资本支出大幅提升，达到2.44亿元，增速达.4%，主要是因收购派尔森，拓展锂电池材料应用领域，与湿电子化学品和光刻胶业务形成协同效应。
4、客户体系
高纯半导体用湿电子化学品已进入中芯国际、华虹宏力、长江存储、士兰微等头部企业客户体系，数十家客户正在认证中。公司主营产品光刻胶与高净纯试剂下游有很大重叠，同时覆盖半导体和面板行业，具有客户导入优势。
三、风险提示
研发进度、国产化替代进程不及预期；
国际贸易摩擦超预期；
原料端价格上涨超预期。
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