（报告出品方/作者：长城国瑞证券，黄文忠、刘然）
1掌握硅片核心技术，平台化布局羽翼渐丰
1.1长晶设备龙头，横纵双向布局
公司成立于年，是光伏领域最早从事专业切割设备研发制造的国内公司，年通过收购美国斯必克旗下凯克斯单晶炉事业部，完成了对光伏及半导体领域单晶炉的业务布局。值得注意的是，连城数控对光伏行业两次重要的技术迭代发挥了重要作用：一是金刚线对砂浆的取代。年连城数控率先在国内批量交付光伏金刚线切片机，帮助光伏行业整体降低硅片成本。二是单晶硅片对多晶的取代。连城数控是隆基推动单晶取代多晶过程中单晶炉设备的主要供应商，年单晶炉市场占有率一度排名第一。年连城与隆基合作推出全球首台mm单晶炉，可兼容mm与mm尺寸硅片，对大尺寸硅片市场化起到了重要作用。
横纵双向布局，平台化架构成型。连城数控以核心的长晶技术和线切技术为依托，横向拓展半导体、碳化硅和蓝宝石长晶设备与切割设备，纵向延伸光伏电池和组件核心装备以及焊带、碳碳复材等核心辅材耗材。从组织架构上看，连城设有五大事业部和七大研发中心，为横向与纵向拓展提供有力支撑。
从股权结构看，公司实际控制人为李春安先生和钟宝申先生，两人通过签署《关于一致行动安排的确认及承诺》成为一致行动人。公司董事长李春安通过海南惠智间接持有公司8.39%股权，直接持有公司4.70%股权，合计持有13.09%股权。钟宝申先生间接持有公司10.04%股权。
1.2业绩具备增长潜力，财务状况稳健
主营业务稳健，新业务实现较快增长。-年公司营业收入CAGR为23.50%，Q1-Q3公司实现营业收入21.26亿元，同比增长87.87%。从收入结构看，单晶炉、线切设备、磨床等晶体生长设备是公司营收的主要部分，同时公司新的业务条线较快增长，H1公司电池片设备实现营业收入5,.04万元，辅材业务实现营业收入2.11亿元。
毛利率整体下降，单晶炉毛利率稳中有升。Q1-Q3，连城数控销售毛利率为26.21%，较年的43.04%出现了一定下滑，主要为公司线切设备和磨床设备毛利率下滑导致，随着金刚线切片技术的普及，国内线切设备企业增多，竞争加具导致公司产品毛利率下降。公司单晶炉毛利率为41.94%，呈现逐年上升趋势，表明公司单晶炉具备较强的技术壁垒。
合同负债与应收账款表明公司业绩有望较快增长。截至/9/30，公司合同负债规模为11.63亿元，较年末增长.50%，公司应收款项为13.73亿元，较年末增长67.85%，表明公司营收有望较快增长。截至/9/30，公司存货余额为31.86亿元，较年末增长.23%，主要系合并范围增加且业务规模增长所致，存货的较快增长表明公司为订单积极备货，从侧面印证公司的业绩增长具有逻辑支撑。
应收账款、存货结构合理，减值风险较小。公司应收账款规模与存货规模虽然快速上涨，但结构较为健康。截至/6/30，连城数控按组合计提坏账准备的应收账款账面余额为11.10亿元，帐龄在一年以内的账面余额为9.84亿元，占比为88.65%。截至/6/30，连城数控存货账面余额为22.11亿元，其中已发出商品与在产品占比分别为47.81%、36.60%。
负债结构较好，偿债风险较低。Q3连城数控资产负债率为60.03%，较年末的36.61%出现较大提升，主要为公司流动负债快速增长导致。截至/9/30，连城数控流动负债为45.23亿元，但从结构上看，主要为公司应付票据及账款与合同负债，偿债压力较小。从另一方面看，较快增长的应付账款体现了连城较强的供应链管理能力。
2光伏设备：硅片设备有望保持高增速，新业务助力增长
2.1硅片设备：隆基开启新扩产周期，非隆基客户开拓顺利
年连城数控跑输光伏设备行业指数34.41%。市场在过去对连城数控存在两点担忧：一是隆基绿能年扩产进度受到取消优惠电价影响，不及预期。二是年为硅片扩产峰值，随着硅片扩产规模进入下行通道，市场担心连城数控的非隆基客户开拓受到影响。
2.1.1隆基硅片扩产提速，连城业绩有望高增
受取消优惠电价影响，隆基年扩产不及预期。根据隆基绿能公告，公司原定计划至年底单晶硅片产能达到GW，较年底GW产能扩张45GW。年4月1日，隆基绿能收到云南省发改委通知，取消其在云南省享有的优惠电价政策和措施，自年9月1日起，全部用电价格通过电力市场化交易方式形成，直接与电网企业结算。受此影响，隆基绿能在年中报表示暂停云南各地的后续规划产能。根据我们统计，隆基在云南的规划项目包括丽江三期年产10GW单晶硅棒建设项目、曲靖二期年产20GW单晶硅棒和30GW单晶硅片项目、曲靖年产30GW单晶电池项目，以上规划的硅片产能占隆基年扩产总计划的三分之二。
年隆基扩产加速，连城充分受益。年8月25日和年1月18日，隆基绿能分别公告建设鄂尔多斯年产46GW单晶硅棒和切片项目和年产GW单晶切片项目。按照单晶炉单位投资成本1.2亿元/GW，切片设备单位投资成本0.6亿元/GW计算，隆基上述扩产项目的设备采购成本约为.8亿元。根据连城数控的公告，预计年与隆基绿能的关联交易额为46.76亿元，占公司年营业收入的.00%。
2.1.2非隆基客户扩产力度不减，新订单有望保持增长
前面提到市场对于连城的另一点担忧在于年硅片扩产弱于年，连城的非隆基客户订单会受到影响。我们认为：第一，年硅片扩产规模并不会出现显著下滑，行业扩产可能超预期。第二、连城非隆基客户订单基数低，成长潜力大。根据我们统计，年各硅片企业规划的扩产规模约为.32GW，但受到硅料价格高位运行及一些外部影响，年实际扩产规模将小于这一数值，部分扩产会延后至年。目前，除隆基外的硅片企业仍有GW拉棒+GW切片的规划（在建）产能，我们判断年行业扩产不会出现明显下滑。
从技术水平上看，凯克斯是世界领先的半导体级和太阳能级单晶炉制造商，在长晶设备领域具有超过40年的经验，凯克斯单晶炉帮助隆基成为硅片制造龙头。从客户开拓上看，连城数控先前作为隆基绿能的关联公司，在新用户开拓上收到一些掣肘，但年来自隆基的营收占比显著下降表明公司独立性在增强。连城在年的主要非隆基客户中，双良节能、华耀光电、宇泽半导体、高景太阳能都有较大的产能规划，我们预计连城数控未来的非隆基订单将较快增长。
2.2电池设备：受益电池技术迭代，具有较强成长潜力
连城数控的电池主要为ALD设备及湿法制绒设备，其中ALD设备由子公司艾华负责，湿法制绒设备由子公司釜川负责。
ALD（原子层沉积）设备是将物质以单原子层的形式一层一层沉积在基底表面，每镀膜一次为一个原子层，镀膜10次厚度约为1nm。从应用的角度来讲，与传统的薄膜生长工艺相比，ALD有几个很重要的优势：1）保形性好，适于在深沟槽和多孔状结构表面沉积；2）无针孔和颗粒沉积，薄膜致密性好；3）可以大面积生长并得到均匀薄膜；4）杂质浓度非常低，薄膜质量高；5）可实现亚纳米级的薄膜厚度控制。在光伏电池领域，ALD设备主要应用于PERC和TOPCon电池表面Al2O3钝化层沉积、TOPCon电池隧穿氧化层的沉积以及XBC类电池相应膜层的沉积。
表面复合是晶硅电池效率衰减的主要原因之一。表面复合是晶格的突然终止，导致硅片表面的最外层电子有一个未饱和的悬挂键所导致。为减少晶硅电池的表面复合，目前的方法是在P型电池的背表面和N型电池的正面沉积一层Al2O3薄膜。Al2O3薄膜中含有大量的氢原子，经过退火处理，氢原子被释放扩散到硅片表面进行化学钝化，同时可以固定大量的负电荷，对硅片表面形成场钝化效应。Al2O3膜层厚度一般为8-10nm，使用ALD设备可以很好控制Al2O3厚度，并且得到比PECVD设备致密性更高的膜层，钝化效果更强。对于TOPCon电池，其背面的隧穿氧化层厚度仅为1-2nm，ALD设备较PECVD设备更能精准的控制膜层厚度并得到致密度更高的膜层，对于提高TOPCon电池转化效率有更好的效果。TOPCon电池正面沉积Al2O3膜同样需要ALD设备。
对于BC类电池，专利《一种P型IBC电池的制备方法》中提到电池双面沉积AlOx薄膜，对于ALD设备的需求量较PERC翻倍。根据我们测算双面沉积AlOx薄膜的P型IBC产线的ALD设备单位投资成本在万元/GW左右。
ALD设备取得大批量订单，未来有望快速放量。年3月19日，连城数控官微发布公告，公司取得行业龙头客户20GWTOPCon电池ALD设备全部订单。连城数控ALD设备在未来有望快速放量。
2.3组件设备：串焊机差异化竞争，未来重要增长极
光伏组件的加工工艺的包括串焊、排版、叠层、层压、装框、接线、清洗和测试八个工艺环节，其中最主要的工艺设备为串焊机和层压机。据我们调研数据，年光伏组件产线的单位投资额为万元/GW，串焊机占比约35%，自动化产线占比约为45%，层压机占比约为15%，其他辅助设备占比约为5%，据此推算串焊机单位投资成本约为0万元/GW。
在串焊机领域，国内主要供应商有奥特维、先导智能、宁夏小牛等，其中奥特维市场份额超过70%，具有较高的行业壁垒。连城数控串焊机主要面向背结触（backcontact）电池，与目前主流串焊机进行差异化竞争。传统串焊机是用焊带将电池片的前表面和背表面依次串联，而BC类电池电极均在背面栅线采用直线连接。
低温工艺、防止翘曲是BC电池串焊机与传统串焊机的主要区别点。由于BC类电池正负电极均在背面，P区和N区栅线相互隔离，因此主栅线的设计也有不同的方案。SunPower最早设计的IBC电池将两条主栅线分布在电池两端，这种结构简单。目前普遍采用的栅线结构是三维主栅设计，在制备完细栅后，采用间隔绝缘的方式分别将正极主栅与P区细栅、负级主栅与N区细栅相连接。由于绝缘材料不耐高温，所以BC类电池不能采用传统串焊机的高温工艺，这是目前BC电池串焊机与传统串焊机不能兼容的主要原因之一，行业内目前的方式是采用导电胶热压方式进行焊接。
此外，BC电池栅线全部在背面还会因为应力集中导致电池片发生翘曲，影响后续封装。目前行业普遍采用半片封装方式进行焊接，将电池片一分为二后将其中之一转动°进行焊接。综上，BC类电池由于特殊的结构和工艺，与传统串焊机不能兼容，传统串焊机厂商在这一领域并无绝对优势。连城数控选择进入这一领域，有较好的先发优势。
BC类电池更适配分布式光伏，未来需求有望快速增长。BC类电池正面无栅线，组件外观更为简洁美观，更适用于分布式光伏尤其是BIPV。隆基年推出的Hi-MO6组件基于HPBC电池，正面可以定制多种颜色，能和不同场景的建筑搭配，符合BIPV的美观要求。
年，工商业光伏新增装机量占比达29.59%，成为我国新增光伏装机的主力。由于工商业电价更高，因此工商业光伏对组件价格的敏感性更低，对美观性要求更高。未来工商业光伏装机量有望保持较快增长，对BC类光伏电池组件的需求量也将较快增长。
因此国内组件厂商开始布局BC类电池产能，目前爱旭股份和隆基绿能分别有16.5GW和33GW背结触电池产能规划，随着规划产能的逐步落地，连城数控的串焊机收入有望快速提升。
3半导体设备：半导体硅片受益国产替代，碳化硅设备潜力可期
3.1全国产化设备助力国内硅片产业发展
按照直径尺寸，半导体硅片主要分为mm(12英寸)，mm(8英寸)、mm(6英寸)、mm(4英寸)、75mm(3英寸)、50mm（2英寸）。硅片尺寸越大，在单片硅片上制造的芯片的数量就越多，边缘损失就越小，芯片的单位成本也就越低，直径mm的12英寸硅片因此占据绝对的市场份额，年12英寸出货面积占68.47%，8英寸出货面积占24.56%。
我国半导体硅片市场起步晚、规模小，根据SEMI数据年全球半导体硅片市场规模约为.2亿美元，而我国半导体硅片销售额仅为16.56亿美元，约占全球市场的13.12%。同时，我国半导体硅片公司市场份额较小，全球近九成市场被海外五大硅片公司占据，年信越化学、SUMCO、环球晶圆、SiltronicAG、SKSiltron合计市场份额为86.61%。
国产替代驱动下，国内半导体硅片产能建设提速。根据上海合晶招股说明书，年我国8英寸外延片需求量为71万片/月，供给量约为49万片/月；年我国12英寸外延片的需求量约为35万片/月，供给量约为3万片/月。预计到年，8英寸和12英寸外延片供给缺口将分别达到30万片/月，34万片/月。在此情况下，国内半导体硅片产能建设在如火如荼的展开，根据我们统计国内8英寸硅片在建/规划产能约为78万片/月，12英寸硅片在建/规划产能约为万片/月。
半导体硅片的工艺流程包括长晶、切片、抛光、外延四个主要环节，具体如下：①拉晶：将硅料融化，然后通过引晶、放肩、转肩、等径、收尾等工艺流程，拉出符合生产要求的单晶硅棒纯度在9N以上。②切片：将硅棒抛磨成等径的圆柱后，将其切成约1mm厚的硅片，并通过抛磨改善硅片平面度、通过刻蚀去除机械损伤。③抛光：利用胶体二氧化硅对硅片进行机械化学抛光，获得镜面表面，然后进行检测筛选出符合表面度要求的硅片，得到抛光片。④外延：在抛光片的基础上首先使用砷或氢气对其进行高温退火，降低硅片表面含氧量。然后在外延炉中通入四氯化硅和三氯硅烷并加热到1℃，使硅片表面沉积一层2-20微米厚的单晶硅层。从而降低集电极串联电阻，降低饱和压降和功耗。
目前，8英寸抛光片产能的设备投资额约为元/片，外延片产能的设备投资额约为元/片。12英寸抛光片产能的设备投资额在1元/片左右，外延片产能的设备投资额在元/片左右（以年产能计算）。由于8英寸和12英寸硅片适用的制程工艺不同，两者的设备投资构成也有较大区别。以立昂微为例，8英寸硅片的设备投资额中，拉晶、切片、抛光、外延的占比分别为19.8%、6.9%、30.4%、33.9%。12英寸硅片适用的制程工艺更先进，对硅片的表面粗糙度要求更高，因此抛光工序的设备投资占比更高，拉晶、切片、抛光、外延投资占比分别为8.3%、7.7%、59.7%、24.4%。
连城数控半导体设备聚焦于长晶与切片环节。KXMCZ是连城数控新一代mm半导体单晶炉，采用凯克斯最先进的技术，配备0高斯超导磁场，能够实现硬件、软件的全部国产。年7月连城使用KXMCZ成功生长出12英寸半导体级单晶硅棒。
根据前文的统计数据，我们对目前国内半导体硅片长晶、切片设备的市场空间进行了测算，8英寸硅片设备市场空间约为10.00亿元，12英寸硅片设备市场空间约为73.32亿元，两者合计约为83.32亿元。
3.2碳化硅设备：国内SiC产能建设提速，连城数控已取得批量订单
3.2.1新能源汽车、5G通讯推动碳化硅市场快速增长
碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）因具有较高的禁带宽度、击穿电场强度、饱和电子漂移速率、热导率及抗辐射等优点，被视作第三代半导体材料。目前氮化镓（GaN）晶体生长仍有较多的技术难题尚未攻破，碳化硅因此成为最重要的第三代半导体材料。
碳化硅的衬底可以按照电阻率分为导电型衬底和半绝缘型衬底，导电型电阻率在0.02Ω·cm左右，半绝缘型电阻率大于Ω·cm。碳化硅导电型衬底主要应用在新能源汽车、电网、光伏逆变器、轨道交通等高压工作场景。碳化硅半绝缘型衬底主要应用在射频开关、功率放大器、滤波器等通讯场景，可以满足5G通讯对高频性能和高功率处理性能的要求。
碳化硅衬底器件相较于硅基器件优点显著。第一，碳化硅的禁带宽度更高。制成的功率器件工作电压范围在V-3V，更高的击穿电场使器件尺寸可以缩小为硅基的1/10。第二，碳化硅的饱和电子速率更高，导通电阻为硅基器件的1/。制成的微波射频器件在高频电流下产生的开关损耗更低，能量损失更小，同时可以减少电容和电感器件的使用量，显著缩小射频器件的体积。第三，碳化硅的高温性能和导热性更出色。碳化硅器件的最高工作温度高达℃，使其在高温工作环境下仍能保持更好的性能，良好的导热性能减少了散热件的需求，在降低成本的同时缩小体积。碳化硅器件可以帮助新能源汽车提高续航里程，提高充电速度。新能源汽车中的电机驱动系统、电压转换系统（DC/DC）、车载充电系统、电池逆变器等高压系统，均可以通过使用碳化硅功率器件减少重量和功率损耗，从而提高续航里程，还可以减少冷却系统，节约整车成本。目前，新能源汽车电压通常为V，而V高压平台可以将充电功率提升到KW以上，将km续航里程电量的充电时间缩短至12-15分钟。
碳化硅功率器件市场规模将呈现指数级增长。随着新能源汽车渗透率的不断提升，以及碳化硅功率器件在新能源汽车的普及，未来碳化硅功率器件市场规模预计呈现指数级增长。根据IHSMarkit的预测，到年碳化硅功率器件市场规模将超过亿美元。具体来看-年碳化硅功率器件市场规模增长相对平缓，-年市场规模增速将会显著加快。CASA预测到年国内新能源汽车对碳化硅衬底需求量（折算为6英寸）将达到约万片。8-年天科合达6英寸碳化硅晶片平均售价分别为.41元/片、.53元/片，年天岳先进6英寸导电型碳化硅晶片平均售价为.49元/片，假设到年6英寸导电型碳化硅晶片价格下降到0元/片，预计国内因新能源汽车带动的导电型碳化硅衬底市场规模79.3亿元。
碳化硅材料天生适配5G通讯。5G通信频率是指频段在MHz-0MHz之间，延时在1ms以内，峰值下载速度达到10-20Gbit/s的通信技术。5G通讯的所需的射频器件主要包括射频开关、LNA、功率放大器、滤波器等，其中功率放大器是放大射频信号的核心，5G的高频特性要求功率放大器具备在高频和高功率状况下的工作能力。以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件具备高导热性、低导通电阻，在高功率和高频率的工况下功率损耗更低、性能更加出色。
根据Yole的预测，到年全球半绝缘型碳化硅衬底需求量将达到43.84万片。年天岳先进4英寸半绝缘型碳化硅晶片平均售价为.99元/片，假设到年价格下降到元/片，全球半绝缘型碳化硅晶片市场规模将达到32.88亿元。
需求的不断增长推动了国内碳化硅衬底的产能建设，根据我们的统计，目前国内头部公司规划/在建的碳化硅衬底产能合计达到了万片。此外一些非上市公司如中科钢研、同光科技、国宏中能等也有产能规划。
3.2.2碳化硅长晶难度大，设备是产能提升关键
碳化硅熔融温度高，晶型种类多，长晶良率低。碳化硅衬底的生产过程需要经过原料合成、晶体生长、晶锭加工、晶棒切割、研磨抛光等步骤。在晶体生长环节，碳化硅具有余种晶体结构，而只有4H-SiC等少数几种晶体结构才是半导体材料所需的，在晶体生长期间需要对碳硅比、温度梯度、掺杂元素浓度等多个参数进行精准控制，否则会生长出多晶型掺杂、缺陷密度较高的不合格晶体。而碳化硅生长技术难度高导致了目前碳化硅衬底厂商生产良率较低。天岳先进作为国内半绝缘型碳化硅衬底龙头企业，晶棒环节良率近两年平均水平约为50%，衬底环节良率近两年在70%-75%区间。
碳化硅晶体生长缓慢，产能释放一方面取决于长晶炉数量，一方面源于提高单炉产能。量产碳化硅晶锭的生长周期约为7天，生产出的碳化硅晶锭高度仅为十几厘米，考虑到良率以及切片损耗，单炉单次生产的碳化硅衬底仅为2-3片，天岳先进年的长晶炉台均产能为片/年，长晶速率缓慢决定了扩大产能需要依靠增加长晶炉数量以及提高单炉产能。两方面决定了设备厂商的重要地位：一方面衬底企业提高产能需要大量采购单晶炉，带来市场规模的提高；另一方面，提高单炉产能需要设备与工艺之间的相互配合，设备厂商重要性大大提高。根据我们测算，-年由新能源汽车带来的碳化硅长晶设备空间平均约为27.81亿元/年。
3.2.3双技术路线布局，已形成批量订单
碳化硅长晶设备在业界有感应式加热和电阻式加热两种技术路线，目前国内以感应式长晶炉为主。采用感应线圈加热时，由于电磁感应作用，轴向温度和径向温度之间存在耦合现象（即轴向温度的变化会导致径向温度的随之相应变化，反之亦然）。如果调整轴向温度梯度，提升晶体生长速度，会因为耦合现象导致径向温度分布发生改变，从而导致晶体生长界面的凹凸程度变化、应力增加，使得晶体缺陷增加。由于耦合现象的存在，轴向温度和径向温度的工艺调整成为感应加热式晶体生长炉的重要技术难点，并且在保证晶体缺陷得到有效控制的前提下，对提升晶体尺寸和晶体生长速度带来了技术障碍。电阻式长晶炉更适合8英寸碳化硅衬底生长。电阻加热法的轴向温度和径向温度之间不存在耦合现象，可以对轴向温度和径向温度分别进行精确控制，降低晶体缺陷，提高产品良率，有利于实现大尺寸晶体的生长，并提高晶体生长速度。
连城双路线均已完成研发，电阻炉已实现小批量订单。根据公司年年报，感应式长晶炉和电阻炉均已研发完成，其中感应长晶炉在客户处验证，电阻炉已实现小批量订单。根据年5月13日业绩交流会的内容，公司碳化硅生长炉已在客户处稳定试用，有客户已追加订单，会根据客户的实际需求进行产品的批量交付。
4光伏辅材：焊带业务处于导入阶段，毛利率具有较大提升空间
公司辅材业务目前以焊带为主，焊带的作用是将光伏电池片进行串联和并联，是组件串焊工艺的重要辅材。光伏焊带主要分为互连焊带与汇流焊带：互联焊带直接焊接在电池片正面和背面栅线上，使电池片形成串联电路；汇流焊带是将电池串连接起来并于接线盒相连实现完整电路。
光伏焊带主要由铜基材与表面锡合金层组成，由于铜的焊接性能比较差，将锡合金使用电镀、真空沉积等方法均匀覆盖在铜极材表面以提高焊带的焊接性能。光伏焊带对于串焊过程中减少电池片碎裂及隐裂具有重要作用，光伏焊带主要参考屈服强度、同心度、锡层厚度、可焊性四个指标。
焊带价格主要受材料成本影响，成本加成定价模式，资金投入较高。焊带的直接材料成本占总成本的90%以上，单位重量喊得的铜和锡质量比约为85:15，因此焊带价格与铜的价格相关度较高。焊带的售价通常根据原材料价格加上合理预期利润与组件厂协商确定，当原材料价格波动时，焊带企业毛利率也会产生一定波动。在采购端，原材料成本占比较高，在销售端，需要一定的回款周期，因此焊带企业营收规模的扩大需要伴随较高的资金投入或较高的周转率。
焊带业务有两条主要逻辑：在总量上，焊带需求随着光伏新增装机量提升而不断扩大；在结构上，焊带需求种类随着电池的主栅技术变化而不断迭代。总量上，焊带需求量随着全球光伏装机量变动。CPIA预测年全球光伏装机量乐观情况下为GW。IHSMarket预测年全球光伏装机量为GW-GW。欧洲光伏协会预测1GW光伏组件所需光伏焊带在吨-吨之间。根据光伏组件栅线数量不同，互连焊带和汇流焊带的耗用量比值在4-5之间。我们以CPIA预测的中性情况为依据，按照互连焊带和汇流焊带耗用量比值为4.5：1计算，到年全球互连焊带需求量约为23.37万吨，汇流焊带需求量约为5.19万吨。
光伏电池主栅技术的变化会带来焊带需求的变化，目前在PERC电池领域以9BB和10BB为主，未来11BB市场的需求将持续提高。在TOPCon电池领域16BB已经占据50%的市场份额，未来将持续提高90%以上，仍然具有较大提升空间。目前SMBB技术处于持续导入之中，SMBB焊带由于线径更细（0.3mm以下），生产难度更高，可能对焊带企业市场格局产生一定影响。
连城焊带业务处于导入阶段，毛利率具有较大提升空间。从年中报披露情况看，上半年连城数控辅材业务实现营业收入2.11亿元，以焊带业务为主，毛利率仅为0.31%，远低于同业的宇邦新材与同享科技毛利率水平。由于焊带的成本加成的定价方式，毛利率水平会随原材料价格波动，因此单吨毛利是衡量焊带盈利水平的更好方式。宇邦新材的互连焊带单吨毛利约为1.1万元-1.3万元，汇流焊带单吨毛利约为1.2万元。我们认为连城数控焊带业务处于由研发向市场导入的初期，受到良率、稼动率等因素影响，当前毛利率水平并不能代表业务成熟以后的水平，未来毛利率仍有较大提升空间。
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