MOS管全称金属—氧化物—半导体场效应晶体管或称金属—绝缘体—半导体场效应晶体管,英文名metaloxidesemiconductor,属于场效应管中的绝缘栅型,因此,MOS管有时候又称为绝缘栅场效应管。
MOS管这个器件有两个电极,分别是漏极D和源极S,无论是图一的N型还是图二的P型都是一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上,用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+/P+区,并用金属铝引出漏极D和源极S。然后在漏极和源极之间的N/P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅(Si02)绝缘层膜,在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极,作为栅极G。这就构成了一个N/P沟道(NPN型)增强型MOS管。
MOS管具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好;制造工艺简单、辐射强,因而通常被用于放大电路或开关电路。
MOS系列,现有TrenchMOSFET/SGTMOSFET/SuperJunctionMOSFET三大类产品线、数百种型号,累计获得国家发明专利18项,尤其是锐骏独创的TO-内绝缘封装技术,彻底解决了终端客户在散热和装配上的技术难点。
MOSFET的封装形式:
以下是几款经典的MOS型号和应用领域介绍:
一,应用领域:锂电池保护
1节RUG3串、4串、5串规格
RUOL/RUL/RU
10串以下保护板供电
RUR/RUR/RUR/RUR/RUR
用于13串,16串锂电池保护板
RUR/RU75NO8R/RUR
用于10串、13串锂电供电控制板
RU75NO8R/RUR/RUOR/RUR
二产品应用领域-服务器、矿机电源
RUR/R3/RUR/RU0L;
RU0L/RUHM
三应用领域:太阳能控制器
RUOL、RUHL
RUL、RUL.RUL
RUL
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