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1、FlashMemory
数据存储离不开存储器，存储器分为易失性存储器和非易失性存储器。在电子产品中，所有信息都是通过组合“0”或“1”的方式进行表达，而存储器则是存储这些电信号的地方。通过判断存储器断电后数据是否依旧被保存来区分这两种存储器。易失去性存储器（VolatileMemory,VM）在断电后数据随即丢失，静态随机存取存储器(SRAM）和动态随机存取存储器(DRAM)是VM中两种具备代表性的产品。非易失性存储器（Non-volatileMemory,NVM）在断电后数据依然依旧保存在存储器内，闪速存储器(FlashMemory)则是NVM的代表产品之一。
闪速存储器已经成为主流存储器之一。闪速存储器是一种电子式可清除程序化只读存储器，其支持多次的擦除及写入。主要应用于一般性数据存储，在计算机及电子产品中被广泛使用。根据市场销售规模，闪速存储器销售占比约为45%，成为继DRAM外第二大储存器产品，是主流存储器之一。
1.1NANDFlash
闪速存储器种类众多，NANDFlash占据主要位置。闪速存储器虽然有众多类型，但主要为NORFlash和NANDFlash。两者之间的区别在于存储单元连接方式不同，导致两者读取方式不同。NORFlash以“字”为单位，具有芯片内执行的能力。但在块读/写上则有不足，所以主要用于小容量代码闪存领域。而NANDFlash在块读/写上具备优势，所以其主要用在大容量存储领域。根据销售额，NANDFlash产品销售额在存储器中占比约为42%，成为闪速存储器中占比最大的细分产品。
不同存储单元性能有所差异。NANDFlash有三种类型的储存单元，数据是以位的方式储存在存储单元内。储存单元有单层单元（SLC）、多层单元（MLC）、三层单元（TLC）和四比特单元（QLC），单元存储量依次上升，但单元擦/写寿命则依次下降。而存储量上升致使寿命下降的原因是存储器工作时需要使用更多的电压值来实现更多数据的写入，电压控制的难度将会增大，从而降低硬件使用寿命。随着TLC技术的成熟，叠加3DNAND技术加持，使得部分TLC产品擦写使用寿命已经与MLC产品相当，这将对TLC产品的推广将起到重要的促进作用。而QLC则是在追求更低单位成本下所开发的存储单元，但其擦/写寿命仍有待提升。
手机和SSD是NANDFlash主要消耗方。NANDFlash作为高数据存储密度闪存器，被广泛应用于各种数字终端设备。其中，手机和固态硬盘（SSD）是NAND闪存应用份额占比最高的两个领域，分别约为48%和43%。所以，手机和固态硬盘的出货情况将对NANDFlash的需求产生较大的影响。
2.3DNAND：冉冉升起之星
NANDFlash是集成电路的一种。NANDFlash属于半导体产品，是集成电路的一种。所以，NANDFlash的生产和其他半导体产品一样，都基于对硅材料进行加工，经过设计、封装、测试等步骤，最终成为芯片产品。在晶圆加工环节，通过半导体加工工艺，每片晶圆上有数百颗NANDFlash芯片。这些由无数个晶体管电路组成的芯片称为Die，每个Die都是一个独立的功能芯片。
NANDFlash容量结构从大到小可依次分为Device、Die、Plane、Block和Page。一个Device有若干个Die，每个Die有若干个Plane，每个Plane有若干个Block，每个Block有若干个Page。而一个Page中包含着多个Cell，Cell是Page中的最小操作擦写读单元，对应一个浮栅晶体管，这些晶体管的存储量决定于存储单元的类型。
摩尔定律限制2D发展，3D成破解瓶颈利器。由于NANDFlash是集成电路的一种，所以其发展遵循摩尔定律，即当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。由于NAND工艺的不断发展，制程已经进入到1x/1ynm，甚至1znm阶段。但工艺的进步在扩大容量和降低成本的同时，可靠性及性能都在下降。由于需要额外手段来弥补可靠性，在制造成本及性能上已经难以通过提升制程以获得优势。而3D工艺使得NANDFlash的发展出现转机，打破为提升容量而不断微缩晶体的发展路径，突破发展瓶颈。
2D与3D是Die内部的排列方式不同。对于2DNAND和3DNAND的区分则是颗粒在单Die内部的排列方式，其中2D是按照传统二维平面模式进行排列闪存颗粒的，而3D则是在平面的基础上进行堆叠形成立体的排列。3DNAND堆叠可采用简单堆叠（SimpleStack）、垂直沟道(VC)和垂直栅极(VG)三种方式进行堆叠。存储单元采用浮栅晶体管单元（FloatingGate,FG）或者电荷俘获型单元（ChargeTrapFlash,CTF）。相较于FG,CTF由于拥有较高可靠性和更小的体积，所以基于此考虑，则CTF更适合3DNAND。
3DNAND在性能和成本上有较大优势。由于3DNAND采用了立体结构，与2DNAND采用平面化结构相比，利用现有制程在单Die内堆叠更多存储单元，即使用3D存储单元阵列来提高单元密度和数据容量。此外，3DNAND技术的应用不仅使得产品在性能上有一定的提升，在功耗上也存在较大幅度下降。在成本端，3DNAND每单位容量成本得到降低。制程提升已不是3DNAND技术的主要诉求，通过更为先进的堆叠技术来封装更多存储单元能提供容量，能进一步降低单位容量成本。所以，3DNAND正向更高堆叠层数发展。
总结：由于集成电路发展受到摩尔定律约束，而NANDFlash作为集成电路的一种在2D层面发展受到了制约。虽然制程提升使得PlanarNAND在1x/1y/1znm上得到一定发展，但未能有效突破发展瓶颈且面临一系列挑战。而3DNAND技术使得NANDFlash进入到一个全新发展阶段，突破原有需要不断对晶体进行微缩而达到扩容的瓶颈，通过对晶体进行堆叠而实现单体容量提升。此外，3D技术还能降低单位容量成本。3DNAND技术使得NANDFlash发展空间得到提高。
2.13DNAND发展基于堆叠技术的提升
3DNAND工艺持续提升，堆叠层数不断增加。自三星在年研发出24层3DNAND技术后，各原厂均投入对3DNAND技术研发。在三星、SK海力士等原厂在3D技术快速发展的推动下，3DNAND迅速普及且产出比例持续攀升，现已成为主流制程。此外，根据技术发展路径，3D堆叠技术也在持续提升，3DNAND持续向更高层数进行堆叠，从而实现产品不断迭代。
3DNAND产品将持续优化。在IMW国际储存器研讨会上，应用材料预计到年3DNANDFlash的堆叠数将会增加到层以上，同时会较现在的变得更薄。而三星预测则更为乐观，在年5月GSAMEMERY＋论坛上其预测在未来5年内，3DNAND堆叠层数将达到层，10年内将可达到层。层数增加意味着对工艺、材料的要求会提高。此外，在堆叠层数增加的情况下，虽然存储堆栈的高度在增大，但每层的厚度却在缩减。按照目前技术发展趋势，每升级一次堆栈厚度都会变成原来约1.8倍，而层厚度会变成原来约0.86倍。目前，各原厂商都在对3DNAND产品的各项指标进行优化，包括读写速度、容量、功耗等。此外，对于成本控制也是原厂需要考虑的因素之一。各原厂对于技术和成本的追求，将有助于其保持和巩固市场。
技术迭代有助于容量提升，规模化生产将降低成本。增加存储孔密度、增加存储单元密度、逻辑扩展增加比特密度是目前扩大存储容量的三个主要有效方法。三种维度增加容量的效果各不相同，从64层扩展到96层时，存储孔密度大概增加了10%;存储单元密度增加了68%;TLC比特密度增加了65%。综合这三种方法就可以看到整个闪存容量的增长了。根据各代产品发展情况，3DNAND单位面积存储容量在不断增大。从三星量产32层Gb存储容量为1.86Gb/mm，到目前东芝存储堆积到层Gb存储容量为7.8Gb/mm，单位存储容量提升已达到逾4倍。此外，在Die容量相同情况下，由于单位面积存储容量提升，单Die尺寸将会缩小。所以在相同尺寸的晶圆上，Die产量将会得到提升。技术迭代在提升单位面积容量的同时，通过规模化生产降低制造成本，将对原厂形成内在激励。
总结：虽然各方对于3DNAND技术突破的预测不尽相同，但产品迭向更高堆叠层数迭代的趋势得到一致认同。由于堆叠技术迭代，单位面积存储容量将得到提升。此外，由于容量提升，对于单Die容量相同的两代产品而言，新一代产品尺寸将会有所缩减。所以，这将使得同样大小晶圆产出量将上升，而规模化生产有助于降低生产成本。
2.2国外原厂领衔3DNAND技术发展
国际原厂引领3DNAND技术发展。在NANDFlash市场中，三星、东芝存储、镁光、SK海力士、西部数据、英特尔这六家原厂长期垄断着全球99％以上的份额。此外，国际原厂持续引领着3DNAND技术研发，形成了较为厚实的技术壁垒。但各原厂在设计方案上的差别将会对其产出产生形成一定影响。根据64层3DNAND产品相关情况，在已量产GB产品中三星、东芝存储和镁光在同等容量下，其单Die面积也有所不同，三家原厂单Die尺寸大小分别为.5mm、mm、和.5mm。在相同情况下，基于单Die尺寸的优势，镁光将获得更大的产能。
行业景气度持续好转，预计年96层3DNAND仍是主流产品。由于受到需求端和产能扩张影响，NANDFlash产业受到了一定的打击，年NANDFlash价格持续下滑。而各大厂商为应对价格下降，大部分放缓扩产速度。在产品导入方面，国际领先原厂对于96层3DNAND产品导入在年已经开始，且市场份额在不断扩大。目前，行业景气度持续好转，国际领先原厂产品仍以96层3DNAND为主。根据各原厂技术发展路径，96层3DNAND产品在年受到更先进一代技术产品的影响有限，预计其仍为主流技术。
部分领先厂商已完成层产品研发并率先投放市场。层3DNAND是96层下一代技术节点，而对于这一个节点的技术研发，三星和SK海力士已取得了一定优势。三星在年6月就推出了第六代V-NAND（层Gb3DTLCNAND），8月份宣布基于该技术已批量生产GBSATASSD，而在11月实现了第六代层GbTLC3DNAND的量产。对于SK海力士而言，其在年6月份宣布推出首款层TLC4DNAND，11月份向主要客户交付基于层1Tb4DNAND的工程样品并较预期提前量产。这种先发优势，将会有助于抢占市场，更快达到规模经济。
总结：目前，无论是在已量产3DNAND产品，还是相关技术储备，国际原厂引领3DNAND技术发展。在产品方面，虽然部分领先厂商已经量产层产品，但预计96层产品在年依然是主流产品。
3.国内需求持续扩大，政策和资金积极导入助力国产替代
3.1我国是手机和服务器重要生产基地
国产品牌正走向世界，我国是智能手机重要产地之一。华为、OPPO、VIVO、小米等国产品牌近几年在智能手机领域发展迅速。根IDC发布的全球手机市场季度跟踪报告初步数据显示，华为、小米和OPPO出货量位居全球品牌第3、第4和第5位；而根据全年的数据，排名全年全球智能手机市场出货量和市场份额前五的厂商分别为：三星、华为、苹果、小米、OPPO。年全年数据显示，华为已经超于苹果，成为全球第二大智能手机厂商。我国国产手机品牌已经逐步走出国内，面向全球市场。对于我国智能手机产业而言，除国产品牌外，还有部分国外品牌在我国企业代工。根据工信部所公布数据，我国智能手机出货量在全球份额持续保持在20%以上，我国已经成为智能手机重要产地之一。
国内厂商数据中心服务器市占率较高。数据流量爆发已经成为趋势，而在这种趋势下，IDC建设及升级将激发对服务器需求。从全球服务器市场看，我国服务器制造商具有一定市场份额，其中新华三市占率为全球第二，而浪潮信息则位列第三。两者合计市占率在年有小幅度增长。随着国内云计算产业加速和5G下游应用开发，国内IDC建设逐步加速，国内服务器需求将会有所增加，国内领先厂商有望进一步提升市场份额。
总结：手机和数据中心服务器作为NANDFlash产品主要应用方向之二，其出货量将对NANDFlash产生影响。目前，我国智能手机出货量占全球市场份额超过20%，随着国内品牌在性能等方面升级，将提高品牌知名度，销售量将有望提升。智能手机出货量上升使得华为、OPPO、VIVO、小米等已是存储原厂重要客户。在服务器领域，我国厂商在市占率具有一定优势的情况下，叠加国内IDC产业加速发展，出货量有望提升。所以，我国相关厂商对NANDFlash需求有不断扩张的趋势，基于产能保障等方面考虑形成国产替代需求。
3.2政策和资金持续导入集成电路产业发展
国家发布政策支持集成电路产业发展。集成电路作为信息产业的基础和核心，国家将产业发展提升到战略高度。自年以来，国家大力主导推动整体产业发展，先后颁布了《国家集成电路产业发展推进纲要》、《集成电路产业“十三五”发展规划》等政策。此外，各地方政府也颁布地方性政策以扶持相关产业发展。存储器和3D封装产业发展在相关政策中也有所提及。国家政策对于集成电路产业扶持将有助于相关企业在技术上对先进队伍进行追赶。
产业基金进一步保障集成电路产业发展。根据相关政策，国家对于集成电路产业的发展具有一个较为明确的目标；到年要达到与国际先进水平的差距逐步缩小、企业可持续发展能力大幅增强；到年，我国集成电路产业链主要环节达到国际先进水平，一批企业进入国际第一梯队，实现跨越发展。为实现这些目标，国家加大对相关企业的资金支持，将产业基金导入到企业中，实现资金和政策双扶持格局。年9月24日，国家集成电路产业投资基金(“大基金”)正式设立。截至目前，大基金已经设立两期。对于大基金一期，截至年已经基本投资完毕，投资额度接近0亿元。而大基金二期在年已完成募集，募集规模约为亿元，主要聚焦集成电路产业链布局投资，重点投向芯片制造以及设备材料、芯片设计、封装测试等产业链各环节，支持行业内骨干龙头企业做大做强。大基金资金导入对企业研发将有一定促进作用，能更好的帮助企业在技术上进行追赶。
总结：在集成电路领域，我国与国外领先国家之间具有一定差距。这种差距在芯片领域尤为明显，大部分高端芯片需要进口，对于产业安全具有较大影响。而国家对于集成电路产业扶持在政策和资金上均有所倾斜，为我国集成电路发展不断注入活力。目前，在某些领域已取得一定进展，并不断缩小与领先集体之间的差距。
3.33DNAND技术持续追赶
我国作为后来者，3DNAND技术取得突破。早期由于我国集成电路产业技术落后于先进集团，许多高端产品需要进口来满足需求。在年前，中国在存储芯片市场为0，而3DNAND技术被几大巨头所垄断。长江存储即是在此背景下成立，其主攻方向为存储芯片。在国家政策和大基金扶持下，3DNAND技术研发得到支持。长江存储作为国家存储器基地的主要承担单位，其与中国科学院微电子研究所联合承担3DNAND存储器研发项目。该项目在年取得了标志性进展，32层3DNAND芯片顺利通过电学特性等各项指标测试，达到预期要求。此外，该项目成功实现了工艺器件和电路设计的整套技术验证，向产业化道路迈出具有标志性意义的关键一步。
Xtacking架构提升产品性能。长江存储是一家专注于3DNAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业，同时也提供完整的存储器解决方案。在3DNAND研发中，其使用自研Xtacking架构将两种电路进行堆叠，从而实现逻辑电路与存储电路结合。由于逻辑电路和存储电路被分开加工，在逻辑电路工艺选择上有较大空间，这将有助于NAND更高的I/O接口速度及更多的操作功能。此外，由于传统3DNAND架构中外围电路约占芯片面积的20-30%，而此架构将有显著缩小外围电路面积，从而实现较传统3DNAND更高的存储密度。公司表示通过将Xtacking架构引入批量生产，能够显著提升产品性能，缩短开发周期和生产制造周期，从而推动高速大容量存储解决方案市场的快速发展。基于此架构，公司已经开发出全球首款64层3DNAND，并在年底开始量产该产品。
更新平台，追赶先进技术。在面临国外领先厂商在技术压制情况下，年8月长江存储发布了Xtacking2.0，此次优化意味着在自主研发的道路上取得了一些进步。预计在2.0版本构架下，将有助于提升NAND吞吐速率、提升系统级存储的综合性能。此外，长江存储表示将跳过96层3DNAND技术，从而直接进入到层技术研发。由于公司跳过中间一代技术节点，而进入到当前领先原厂的研发节点上，这将使得公司需要面对更为严峻的挑战。新一代技术的研发将加快缩小与先进集团之间的距离，也有助于打开国家市场，打破外资垄断的局面。
总结：长江存储是我国3DNAND技术上的龙头企业，其基于Xtacking构架的64层产品已经量产。虽然国际领先原厂已经量产96层3DNAND产品并向下一代产品进行研发，而长江存储仅有64层产品，但我国与国外领先原厂的距离已经在逐步缩小。此外，长江存储已推出Xtacking2.0且直指层3DNAND技术，这将有助于加快对先进技术的追赶。
4.NANDFlash供给关系改善，产品价格企稳回升
4.1NANDFlash需求将迎来新一轮增长
4.1.15G换机潮拉动手机出货量
智能手机是5G通信换代最受益的电子产品之一。5G技术支持三大应用场景，增强移动宽带（eMBB）、高可靠低时延连接（uRLLC）和海量物联（eMTC）。就智能手机而言，5G通信与4G通信相比，网络速度的提升及延迟降低将会是两个较为明显的使用感受。年韩国成为全球第一个商用5G网络的国家，拉开5G网络商用帷幕。此后，陆续有国家宣布5G网络商用，而中国三大运营商也在年11月正式上线5G套餐。对于消费者而言，运营商已能提供5G网络服务，但仍需要解决终端的问题。由于各代通信具有其独立的频段，5G频段虽然位于Sub6Hz范围内，但处于高频部分，4G手机是无法支持使用5G网络。所以，5G网络的使用是需要更换5G终端才能使用。智能手机已成为大多数人生活中必不可缺的电子产品之一，在5G网络推出后5G手机换机潮将会逐步掀起，使得智能手机成为5G通信换代最受益的电子产品之一。
5G手机价格下降将加快5G手机渗透率。在5G网络建设不断加速的同时，各国手机厂商均推出5G手机来抢占市场。目前，国内大多数5G手机为品牌旗舰机型，5G版本首发价格大多介于-元之间，相比同配置的4G版本贵-元。由于这些手机定位处于中高端机型，所以并不能引发中低端手机市场的需求。但在年12月10日，小米集团旗下Redmi发布5G双模手机KG，其中6GB+64GB版本售价低至元。
小米将5G手机价格快速下探到元以下将会吸引中低端智能手机市场的消费力。此外，由于中低端市场已经有竞品的存在，也将会加快其他厂商向5G手机中低端市场布局的脚步。中国移动指出，从存量市场角度看，目前市场上绝大多数手机用户使用终端和低端机型，其中售价元以上的旗舰手机存量占比仅为15%，-元的中端手机数量占比约26%，而元以下中低端机型数量比重则高达59%。所以，当5G手机产品能满足不同市场需求时，5G手机渗透率将会快速提升。
手机市场回暖，5G手机出货量将逐步上升。近年来，由于智能手机吸引力下降，全球手机销售出现下滑，但这种现象在年下半年出现好转。IDC预计年下半年智能手机市场将逐渐回暖，年智能手机销量将快速增长。5G智能手机方面，年5G智能手机出货量将占智能手机总出货量的8.9%，达到1.亿部，到年，这一比例将增长至28.1%。在5G网络不断完善及下游应用不断丰富的情况下，预计5G手机出货量将逐步上升。
4.1.2数据流量爆发时代已来临
5G下游应用增强流量爆发趋势。对于消费端而言，高清视频将是5G落地最为成熟的应用之一，而云游戏也将成为发展趋势。此外，网络环境改善将有效改善AR、VR使用者眩晕等不适感，为技术推广提供基础支持。与5G网络改善消费端体验相比，5G网络面向企业的改变影响则更为深远。5G网络为物联网提供了网络支持，工业物联网、车联网等一系列技术将成为未来发展的趋势，将对社会产生影响。无论是消费端，还是企业端，5G应用的落地都将会产生大量的数据。由于我们已处于数据爆发时代，5G应用的落地将会进一步增强流量爆发趋势。
数据流量爆发增大对IDC资源需求。由于5G通信技术下游应用空间广泛，叠加云计算业务的扩张和边缘计算的崛起，使得数据流量激增并进入新一轮爆发。根据思科预测，年全球经IDC处理的数据流量将达到20.6ZB，占全球产生流量的比例为99.04%；其中，IDC内部处理的流量、IDC之间流动的流量、IDC到用户的流量分别为14.7ZB、2.8ZB和3.1ZB。全球仅0.2ZB的流量不属于数据中心，占全球流量比例为0.96%。从增速上看，-年全球数据中心流量复合增速将达25%；而云数据中心流量增速将会更快，年复合增长率为27%。IDC主导着全球数据流量的处理与交换，数据流量爆发将会增加对IDC资源的需求。
总结：5G通信所激发的换机潮和数据流爆发将会致使NANDFlash需求上升。就手机而言，一方面5G网络使得用户体现提升吸引着消费者；另一方面，各种定位的5G手机使得各种需求得到满足。这将激发消费者更换手机的欲望。此外，5G手机所使用的NANDFlash容量有所上升，根据目前所发布5G手机的情况,大部分手机NAND容量为G起，容量较4G手机有一倍的提升。手机对于NANDFlash的需求将会逐步显现。伴随着数据流量爆发，IDC行业景气度向上将激发对服务器的需求。服务器、存储阵列等数据中心和企业应用领域是SSD一个重要的应用方向。所以，服务器需求上升将会激发对NAND的需求。通信技术的革新激发NAND需求，为产业发展注入更大的活力。
4.2国际龙头垄断市场，国内厂商突破仍需时间
国际龙头公司垄断NANDFlash市场。由于领先集团对NANDFlash技术尤其是3DNAND技术进行封锁，所以其对NANDFlash市场具有垄断地位。在销售数据方面，虽然六大原厂市场份额有浮动，但其占据着超过99%市场份额。根据Q4销售数据，目前三星占据着最大市场份额，规模达到35.5%；其次分别为铠侠、西数和镁光，市场份额均超过10%。对于国产品牌而言，由于3DNAND技术尚未达到领先水平，市场份额有待提升。根据中国闪存市场预测，年长江存储有望打破国外领先原厂对NAND市场垄断局面，将获得约5%市场份额。
3DNAND产能将持续落地。由于年各原厂对于NAND资本开支增长较快，使得产能迅速扩大，面临供过于求的局面。在NANDFlash价格持续走低期间，几大厂商采取减产等手段来改善产品供应情况。随着供求关系不断改善，原厂资本开支有所回暖。其中三星日前已经正式启动其在西安的芯片项目二期第二阶段，投资金额为80亿美元，前期相关资料已经开始准备，将于年下半年竣工。二期项目建成之后，将新增产能每月13万片。此外，SK海力士、镁光等均有新产能处于建设阶段。根据IHSMarkit所发布的数据，预计到Q4各原厂晶圆产能均有所扩大。5G通信所带来的连锁反应使得NANDFlash市场有望持续扩大，各原厂3DNAND产能将持续落地。
4.3NANDFlash价格扭转，有望持续向好
年NANDFlash市场持续下滑，预计产品销售有望触底反弹。ICInsights预估年NANDFlash市场衰退27%，但这种情况将在年得到扭转，预计市场将迎来19%的年成长表现，NANDFlash预期将成为年33款IC产品类别中，增幅度最高的产品。
供求关系持续改善，NANDFlash价格触底回升。在5G通信和数据爆发的带动下，无论是手机，还是服务器，其需求量有望呈现爆发性增长。而在此背景下，需求端不断向好将增强NAND原厂扩产意愿，供求关系的不断改善将为市场注入活力。NANDFlash价格走势在一定程度上展示这种供求关系。年NANDFlash持续回落，但这种趋势在下半年得到改善，产品价格开始逐步企稳回升。
总结：在5G通信及数据流量爆发背景下，手机换机潮和IDC建设升级有望成为现实。
而这将激发对NANDFlash需求。需求量上升使得NANDFlash供给关系得到改善，价格触底反弹。而原厂也在逐步扩大产能以满足市场需求。
5.投资建议
NANDFlash价格有望持续向上。5G在全球范围内均掀起热潮，无论是网络建设，还是下游应用都成为市场焦点。在此背景下，5G手机换机潮和IDC建设升级所形成的需求端具有较高的确定性。需求增长将改善供求关系，在NANDFlash价格企稳回升后有望持续向好。
新冠病毒短期内仍存在对全球范围内影响。目前，新冠病毒在国内得到强有力有效管控，国内疫情有所缓解。但在全球其他城市疫情防控面临较大挑战，日本、韩国、意大利等多个海外国家数据攀升。日本和韩国在全球半导体产业链中占据较为重要的位置，疫情对于NANDFlash原厂的生产将会产生一定影响，从而在供给端产生变化。
投资建议：集成电路行业维持推荐评级。虽然六大巨头占领着NANDFlash市场99%以上市场份额，但长江存储作为后来者有望打破垄断的局面。设备和材料是一切生产的基础，在国产替代需求不断上升的情况下，对长江存储供应商将产生利好，可
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