IGBT相关阅读：
《IGBT龙头斯达半导》
《国内功率IDM龙头士兰微》
《轨交电网IGBT龙头时代电气》
《功率半导体IDM龙头，最大MOSFET供应商华润微》
《国内领先的半导体功率器件设计龙头企业新洁能》
《国产IGBT先行者宏微科技》
《全产业链IDM功率龙头扬杰科技》
东微半导相关阅读：
《国内领先的高性能功率器件设计厂商东微半导》
1.公司基本情况
东微半导是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体公司，产品主要应用于汽车及工业相关等中大功率应用领域，公司较早实现第三代产品布局，是国内在12英寸晶圆产线上较早实现功率器件量产的功率器件设计公司之一。公司主要产品包括GreenMOS系列高压超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低压屏蔽栅MOSFET，通过不断进行技术创新，进一步开发了超级硅MOSFET、TGBT等新产品。未来公司将持续开发更多新型高性能功率半导体产品，致力于成为国际领先的功率半导体厂商。
2.公司发展历程
东微半导成立于年；年量产国产化超级结系列高压大功率MOSFET；年公司的新能源汽车充电桩核心功率器件芯片成功量产，进入充电桩核心芯片市场，同年SFGMOS实现量产，进入新能源汽车驱动、电池保护及同步整流等应用领域；年IGBT进入量产；年公司整体变更为股份有限公司；年科创板上市。
3.市场空间及潜力
IGBT相关阅读：
《IGBT：新能源驱动成长，国产化率加速攀升》
MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管，是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。
IGBT全称是绝缘栅极型功率管，是由双极型三极管（BJT）和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式半导体功率器件，兼有MOSFET高输入阻抗和双极型三极管（BJT）的低导通压降两方面的优点，与功率MOSFET相比，更侧重于大电流、低频应用领域。
MOSFET和IGBT由于可以用较小的电压控制较强电压，因此被广泛运用于汽车电子、光伏、航空、电力等多个领域。一般来说MOSFET可以控制的最大电压在20V到V左右，而IGBT可以控制V以上的超高电压。MOSFET一般又可以分为中低电压产品和高电压产品，中低电压产品一般以分立器件的形式出售，而高电压一般以模块的形式出售。
MOSFET与IGBT模块，有望成为增长最强劲产品。研究机构ICInsights指出,在各类半导体功率元件中，未来最看好的产品将是MOSFET与IGBT模组；预计到年，未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回增，市场规模达77亿美元；根据中国产业信息网数据，到年全球IGBT单管市场空间达到60亿美元左右，市场空间广阔。根据Omdia数据，年全球功率分立器件市场规模约为亿美元。MOSFET器件是功率分立器件领域中占比最大的产品，全球市场份额达到52.51%；IGBT为第三大产品，年全球市场份额达到9.99%。中国市场中，MOSFET、IGBT占年中国功率分立器件市场份额分别为53.98%与9.77%。
全球和中国IGBT单管市场规模保持平稳增长态势。根据Omdia数据，~年全球和中国IGBT单管市场规模CAGR分别为11.7%和19.2%，预计~年全球和中国IGBT单管市场规模CAGR分别为3.54%和1.68%，全球市场规模增速高于中国市场。预计年全球和中国IGBT单管市场规模分别可达16.82/6.06亿美元。
4.竞争格局及优势
外龙头主导MOSFET器件竞争格局，国内公司正持续发力。对比及MOSFET功率半导体全球份额前十，中国本土企业占比有所提升，国产替代带效果显著。年全球MOSFET分立器件市场规模为81亿美元，英飞凌销售排名第一，市占率达24.4%，CR10达77.9%。中国本土企业中，华润微电子、安世半导体（闻泰）、士兰微进入前十，分别占比3.9%、3.8%和2.2%，合计占比9.9%。华润微份额较年提升0.9%，士兰微则从十名开外挺进前十。
受益下游新能源市场高景气度，IGBT国产替代空间广阔。全球IGBT器件市场中，年英飞凌和富士电机分别以29.3%和15.6%的市占率排名第一和第二，CR10达85.7%，市场集中度较高。中国本土企业士兰微以2.6%的市占率排名第十，相比于年2.2%，份额提升0.4%。国内IGBT产业起步较晚，未来进口替代空间广阔，目前在部分领域已经实现了技术突破和国产化。此外，在新能源汽车领域，IGBT是电控系统和直流充电桩的核心器件，随着未来新能源汽车等新兴市场的快速发展，IGBT产业将迎来黄金发展期。
持续突破海外垄断，国内市场名列前茅。市场份额方面，公司在全球MOSFET市场份额中位列中国本土企业前十，是少数能在超级结MOSFET领域突破海外技术垄断的本土公司之一，根据Omdia，东微半导体年实现的高压超级结与超级硅产品合计的销售收入约为2.5亿元，占全球高压超级结市场的份额为3.8%，占中国高压超级结市场的份额经估算约为8.6%。
高压超级结MOSFET国内领先，中低压屏蔽栅有充足成长空间。年公司在国内MOSFET市占率仅0.34%，位列国内第七，拥有充足的成长空间。公司在发展路径上实现差异化竞争，是国内少数专注工业级高压超级结MOSFET领域的半导体厂商，公司的GreenMOS产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线，在获得极低的动态损耗的同时大限度抑制了开关震荡，不仅可以大大提高系统效率、降低发热量，还可以简化系统EMI设计，在性能方面已接近国际先进水平。
此外，公司完善品类布局，在中低压屏蔽栅MOSFET领域也逐渐发力，约占全球中低压MOSFET市场规模0.2%，占中国中低压MOSFET市场规模0.4%，市占率较小，拥有充足的成长空间。
东微半导采用Fabless模式，不直接从事芯片的生产和加工环节，其营业成本主要由材料成本和封测费用构成，其中材料成本以定制化晶圆成本为主，封测费用以委外封装费为主。随着中国大陆半导体产能的扩张，以及公司销售规模增大形成的规模效应，公司有望进一步优化成本结构，提升盈利能力。
代工厂紧密合作，助力公司产能提升。东微半导晶圆代工厂商包括华虹、东部高科、广州粤芯，以华虹为主，研发合作关系紧密。封测代工厂主要包括天水华天及成都集佳科技有限公司。华虹与公司保持常年良好合作关系，技术相互支持，随着华虹12英寸产线爬坡，公司有望争取较为充分的产能保障。根据粤芯
转载请注明地址:http://www.abmjc.com/zcmbzl/2046.html
