（报告出品方/作者：西部证券，贺茂飞、吴姣晨）
一、地缘政治扰动供应链，把握电子产业投资机会
1.年电子行业投资复盘
回顾年，电子行业涨幅为16.0%，在31个一级行业中全市场排名第11，区间自最低点的最大涨幅为33.3%，全市场排名第13。其中，半导体设备、半导体材料、数字芯片设计子板块涨幅均在50%以上，面板、品牌消费电子、集成电路封测板块涨幅居后。
年初至今来看，电子行业涨幅前十的个股有ST美讯、南极光、*ST乐材、东微半导、厦门信达、瀛通通讯、江化微、复旦微电、聚辰股份、金龙机电。重点公司年初至今股价都有一定的调整，圣邦股份（-9%）、斯达半导（-17%）等相对抗跌。
1.2年展望：把握科技周期，布局新机遇
看好汽车电子为主线的投资机会。展望下半年，看好汽车电子产业链的投资机会。IGBT、汽车存储、汽车计算、汽车光学、连接器、车载PCB等方向正迎来巨大的创新机遇，开启新一轮科技创新浪潮。第一，随着疫情缓解，行业需求复苏。第二汽车电子产业链是未来十年的黄金赛道，竞争格局较好，国产替代的空间广阔。第三，新能源车有望重塑汽车上游零部件的供应格局，越来越多的国内电子企业参与到汽车供应链体系。
1.3半导体年景气度展望
产能端：一季度成熟产能供需错配持续，晶圆价格持续上涨，二季度仍将保持，短期趋势难改。
晶圆厂：台晶圆厂3月份营收持续强劲，且一季度各主要晶圆厂产能利用率持续维持高位，景气度依旧保持向上。年3月中国台湾三大晶圆厂台积电、联电、世界先进工艺营收.75亿新台币，同比+33.38%，环比+15.81%。三大晶圆厂3月营收同环比均大幅增长，其中台积电营收亿新台币，同比+33.2%，环比+17%，为历年单月营收第二高，联电、世界先进均创单月营收新高。
台积电：营收端受益于HPC和汽车等增长强劲，台积电一季度营收.2亿元,同比/环比+35.5%/+12.1%，超出市场预期。产能端：受产能限制，22Q1晶圆出货量+1.4%，出货价格+10.1%，行业晶圆产能短缺仍未明显改善。资本开支端：22Q1资本开支.5亿元，预计年资本开支维持-.4亿元，对后期行业发展保持信心。产能端：中国大陆、日本成熟产能持续推进，美国、中国台湾先进产线顺利落地。营收指引：预计22Q2营收-亿元，中枢环比+1.87%，毛利率指引为56%-58%，利润率45%-47%，毛利率将维持在53%及以上，营收增速高于20%的行业平均增速。HPC高阶芯片和物联网、汽车等成熟制程应用将继续增长，先进和成熟制程应用将共同成为营收增长驱动力。
全球产能：汽车、工业和智能手机为8英寸晶圆主要应用领域，分别占比33%/27%/19%。根据SUMCO数据，年车用半导体对6/8/12寸晶圆需求预计将达40//30万片/月，而至年需求有望达到40//40万片，8英寸需求的快速增长，进一步加剧8英寸产能紧张。根据SEMI统计，-年，全球新增29座晶圆厂（21年增19座，22年增10座），其中22座为12英寸晶圆厂，剩下7座为4英寸、6英寸和8英寸晶圆厂，短期产能开出有限。
SUMCO、IHS和Omdia等机构数据对未来汽车和工业市场规模估计年复合增长分别为16%和5%；根据IDC预测，智能手机~年CAGR为5.3%。SEMI预测，~年8寸晶圆产能供给分别达//万片/月，三年复合增速约为3%，产能增速远低于需求增速，且晶圆产能短期大量开出较困难，8寸晶圆产能紧张状态将会持续。
国内产能：本土晶圆产能占比低，供需缺口大。中国大陆晶圆产能增长迅速，但产能占全球比重仍较低，截至年底，全球IC晶圆产能约为万片/月mm当量，同比增长超8%。中国大陆产能万片/月mm当量，占全球产能比重16%，首次超越日本。除去SK海力士、Intel、联电、三星、台积电等在中国大陆的晶圆产能，大陆本土企业产能占比不足8%，与中国大陆本土消耗全球约24%芯片量相比，差距依然较大。
另据ICInsights统计，年美国公司占据全球芯片市场销售总额54%（包含IDM和Fabless），中国本土企业占比仅为4%，其中IDM领域最为薄弱，占比不足1%。年中国大陆生产芯片产值亿美元，大陆本土企业生产仅占37%，其余均为在华外企生产，与国内对芯片的需求严重不匹配。随着俄乌克冲突加剧，美国对俄罗斯再次举起芯片制裁大棒，再次倒逼国产替代的紧迫性，国产供应链建设刻不容缓。
供给端：半导体设备一机难求，硅片产能增长缓慢，影响晶圆扩产节奏，进一步拉长景气周期。
硅片端：产能释放缓慢，硅片供需紧张将长期持续。
12英寸：成熟制程产能紧缺，部分依赖8英寸的工艺逐渐转移到12英寸，导致12英寸硅片供不应求。目前全球12英寸需求量在~万片/月，产能在万片/月，处于紧平衡状态。产业链调研，预计全球12寸需求量年平均增长8.3%，年将达到+万片/月。全球硅片厂扩产周期长，预计国内每年增长20万片/月左右，至年增加80万片/月。加上海外扩产，年会增加60万片/月,合计增加万片/月,届时总产能达万片/月，供需差80万片/月，长期仍将处于紧平衡状态。
8英寸：8英寸成熟制程主要用于模拟IC、功率分立器件、逻辑IC、MCU以及显示驱动IC、摄像头等中低端半导体器件，受益于汽车和工业电子不断增长，8寸需求将稳步增长。据产业链调研，目前全球8英寸需求万片/月，产能-万片/月，其中国内需求量万片，产能万片/月，未来8寸需求将会以3-5%的年增长率增加，预计国内需求饱和量万片/月，目前8寸扩产主要以国内为主，未来需求与产能维持紧平衡。下游晶圆厂对硅片的强劲需求，推动硅片厂商扩产需求强烈。另据全球硅片大厂信越和SUMCO信息，公司部分产能长单已签约至年，持续看好未来半导体产业的高景气。
设备端：产业已从年对晶圆产能争夺传递到对半导体设备的争夺，各国努力建设国内半导体产业链以解决国家安全的做法将进一步刺激对芯片、设备和材料的需求。
ASML：作为光刻机龙头，ASML营收及数据能前瞻性反应晶圆厂资本开支和下游行业景气度。营收端：受益于存储领域旺盛需求，Q1营收35亿欧元,同比/环比-19%/-29.1%，毛利率、净利率分别为49%/19.7%，加上已出货尚未确认收入订单，单季度出货55亿欧元，创历史新高。新订单：一季度新增订单70亿欧元，包括25亿欧元0.33NA和0.55NAEUV光刻系统订单以及大量DUV订单，保持21Q4高景气度，需求确定性强，进一步验证下游晶圆产能的旺盛需求。按制程划分：EUV营收占比约26%，环比-20pct；各阶成熟制程占比均有提升，其中ArFi贡献最大营收，占比约47%，环比+12pct，成熟产能短缺，需求增长超预期。
中国大陆设备采购渐入高峰，晶圆制造在地化趋势明显。营收区域逐步多元化。随着中国大陆晶圆扩产进入设备导入期，营收占比快速升至34%，环比+12pct，已成营收主力。美日等国加大对晶圆制造投入，来自美国、日本的营收增长迅速，占比升至7%左右，中国台湾和韩国占比均有不同程度下降，晶圆产能在地化趋逐步形成并加强。
业绩指引乐观，行业景气度持续超预期。预计ASML22Q2营收约51-53亿欧元，毛利率维持49%-50%区间；全年营收增长为20%，EUV系统出货量将达55台。考虑到市场需求远超公司产能以及客户产能提升计划已延伸至年，公司将重新评估年产90台0.33NAEUV系统和台DUV系统的扩产计划。EUV供不应求，DUV需求远超市场预期，我们判断未来市场将由成熟和先进制程共同推动。
本土设备厂商：积极扩产，锁定未来产能。在手订单饱满，行业驶入快速发展车道，部分设备厂商积极募资扩充产能，打破产能瓶颈，布局未来。未来随着募投产能开出，预期本土设备厂商市占率将持续增长。
资本开支：晶圆产能稳定增长，晶圆厂资本开支持续高增。
产能增长：据KnometaResearch最新发布的《全球晶圆产能报告》，Q4全球晶圆产能约万片/月8英寸当量。截至年底，全球IC晶圆月产能约为万片/月mm当量，同比增长超8%，至年产能将达2万片，年复合增长率达5.7%。年，为应对产能短缺，芯片制造商将产能提升了8.6%。机构预测，年产能将再增长8.7%，年增长8.2%。
资本开支：年半导体行业资本支出增长36%，预计年资本支出将同比增长24%，达到亿美元，出现自以来首次连续3年保持三位数增长，预计晶圆代工部门支出占据41%的比例。根据ICInsights预测数据，我们统计了年资本支出增长最快的13家晶圆制造厂商近年资本支出，13家公司年资本支出总计亿美元，较年增长62%，预计年资本支出将达到亿美元，增长52%。
二、把握汽车电子10年黄金成长期
2.1车载功率器件：下游高景气，国产化IGBT、SiC需求持续提升
2.1.1新能源车领域快速发展，功率器件渗透加快
IGBT是细分市场中发展最快的半导体功率器件之一。IGBT是由BJT和MOS组合而成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。近20年来各个领域对功率器件的电压和频率要求越来越严格，MOSFET和IGBT逐渐成为主流。据Omdia数据，年全球功率分立器件市场规模约为亿美元，IGBT作为第三大产品，年全球市场份额达到9.99%。中国市场中，IGBT占年中国功率分立器件市场份额为9.77%，总体比例与全球市场的情况基本一致。根据集邦咨询预测IGBT是细分市场中发展最快的半导体功率器件之一，随着新能源车、光伏等行业的快速发展，IGBT在功率半导体占比有望持续提升。（报告来源：未来智库）
新能源是中国与全球IGBT下游最主要市场之一。根据Omdia数据，年全球IGBT（分立+模块）市场规模约为56亿美元，我国IGBT市场规约为22.46亿美元，到年，中国IGBT市场规模有望达到25.76亿美元。虽然我国与全球IGBT市场下游结构与国际有所差别，但是新能源汽车、新能源发电这些领域都是行业发展最大的催化剂。据Yole预测，新能源车和新能源发电-26年CAGR将分别达到+22.26%、+22.49%。
SiC在新能源汽车领域渗透率有望持续提升。SiC材料具有明显的材料性能优势，能满足现代电子对高温、高功率、高压、高频、抗辐射等恶劣条件要求，被广泛用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、国防军工等领域。
Yole数据显示，全球SiC功率器件市场规模将由年的5.41亿美元，增长至年的25.62亿美元，-年CAGR+30%。按照下游应用领域来分，1)年全球新能源汽车SiC功率器件市场规模为2.3亿美元，占比为41.6%，预计至年增加至15.5亿美元，占比提升至60.6%，19-25年CAGR为+38%。2)光伏储能是SiC功率器件第二大应用市场，年该市场规模为1.3亿美元，预计至年增加至3.1亿美元，CAGR为17%。
国内车用主驱IGBT/SiC模块是百亿级市场。据中汽协，年我国新能源汽车渗透率为16.39%，新能源汽车乘用车销量达到万辆。中汽协预测，年国内新能源汽车销量有望超过万辆。车用功率器件的需求随着新能源汽车市场的迅速发展而快速渗透。考虑到SiC在高压（V）新能源车的布局和渗透，我们预测年中国新能源乘用车IGBT、SiC需求将分别达到.74、62.96亿元。
2.1.2高景气支撑叠加缺芯，IGBT国产化进程加快
IGBT模块产业链主要包括IGBT芯片设计、制造、模块封测三大部分，全球龙头企业多为IDM模式，如英飞凌、安森美等企业；也有具备设计和模块封测的企业，如斯达半导、宏微科技；还有只具备模块生产制造能力的企业，如赛米控。
IGBT行业高度集中，海外厂商具备优势。据英飞凌，年在IGBT模块市场，市占率排名前五的分别为英飞凌、富士、三菱、塞米控和威科电子，占据全球66.7%的市场份额；在IGBT单管市场，市占率排名前五的分别为英飞凌、富士、三菱、安森美和东芝，占据了全球约67.4%的市场份额。
其中，英飞凌在低、中、高电压IGBT领域占据领先地位；富士电机主要生产IGBT模块和IPM，产品在工业控制和变频家电中广泛使用；三菱电机在中等电压、高电压IGBT领域处于领先地位；赛米控在低电压消费级IGBT领域具备一定优势。
我国功率平台打造起步较晚。我国IGBT、FRED器件工艺平台打造比国外同行晚，因此我国虽然是全球最大的功率半导体器件市场，市场规模保持较快增长态势，但在器件生产制造与自身消费间存在巨大缺口，海外厂商在高端IGBT市场优势地位十分明显。据IHS，年中国大陆与中国台湾仅占到全球20%的功率半导体产地份额，并且产品以二极管、晶闸管、低压MOSFET等低功率半导体器件为主。
IGBT自给率、市占率正逐步提升。随着中美贸易摩擦、华为制裁等地缘政治事件带来供应链自主安全意识的加强，同时，国家重点扶持发展以IGBT为代表的半导体器件及芯片，加之近年技术迭代有暂缓态势，国内龙头企业与国际厂商产品代际差距正在缩小。
由于海外供应短缺造成价格与交期增长，国内下游厂商给予本土供应商引进机会，国产化进程正在逐步加快。根据Yole，自年以来，我国IGBT自给率超过10%并逐渐增长，预计年我国IGBT行业产量将达到0.78亿只，需求量约为1.96亿只，自给率呈逐步上升态势，斯达半导、士兰微、时代电气、宏微科技等掌握核心技术企业将充分受益。
2.1.3SiC国产供应链逐步完善，衬底是关键一环
衬底在SiC器件制造中占据核心地位。SiC产业链与硅基功率半导体类似，可以分为衬底材料制备、外延生长、器件制造和应用，但成本分布不同。由于SiC晶体生长速度缓慢且制造难度大，据前瞻产业研究和CASAResearch，衬底和外延在SiC功率器件成本结构中占比分别为47%和23%，二者合计占比70%，是SiC器件的主要成本来源。
全球SiC领域仍然由美日欧企业主导。只有美国CREE和日本ROHM具有SiC全产业链生产能力，其生产衬底可外销或自用。除此之外，衬底的主要企业有II-VI、Norstel等，外延厂商有ShowaDenko、英飞凌等，器件厂商有意法半导体、三菱电机等。跟据Yole数据显示，Cree、ROHM、Infineon、Mitsubishi和ST五家企业合计占有SiC功率半导体80%的市场份额。国产企业正在加速入局，如三安光电等公司已经实现了全产业链覆盖、天科合达和山东天岳(天岳先进)在衬底部分逐步追赶，但目前仍处于行业发展早期，具有较大的发展空间。
核心技术取得突破，量产技术逐渐成熟。当前我国第三代半导体领域技术已经基本完成从小批量的研发向规模化、商业化生产的成功跨越，各环节技术、性能趋于稳定，规模化生产工艺、产品性价比等逐步得到市场认可，与海外企业在工艺技术上的差距正在缩小。虽然成本落后于海外，但随着国内加大研发投入，提升良率及技术水平，凭借我国在新能源汽车、光伏等SiC应用的主要市场的一定先发优势，我国SiC产业发展动力足。恰逢缺芯以及国产替代黄金期，产品验证壁垒及周期相对较低，使得我国SiC器件加速发展。
目前国内已基本形成完整的产业链结构。据CASAResearch不完全统计，截至年底，国内有超过家从事第三代半导体电力电子和微波射频的企业，而年尚不足家，覆盖了从上游材料的制备（衬底、外延）、中游器件设计、制造、封测到下游的应用，我国第三代半导体供应链的自主保障能力得到增强。国内已沉淀了SiC技术和产品的企业包括山东天岳、天科合达、东莞天域、瀚天天成、泰科天润等，逐步实现商业化盈利。
2.2模拟芯片：八英寸晶圆扩产缓慢，
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